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第1题
关于光电导，以下说法正确的是?()
A、有带间跃迁产生电子—空穴对的本征光电导
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B、除本征光电导外，光照也能使束缚在杂质能级上的电子或空穴受激电离产生杂质光电导，但杂质光电导与本征光电导相比较是非常小的
C、在实际的半导体材料中，存在有大量的陷阱，光注入的少数载流子基本上全部被陷阱俘获，因此，只有光注入的多数载流子才对光电导有贡献
D、小注入时的光电导为线性光电导
E、大注入时的光电导为抛物线型光电导
F、通常把小注入时的非平衡载流子的寿命称为弛豫时间
G、弛豫时间越长，光电导的灵敏度越高。但弛豫时间越长，对光信号反应越慢。因此，既要灵敏度高，又要反应快，这是矛盾的
第2题
关于“光注入”，以下说法错误的是：（)。
A.只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子
B.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度
C.非平衡电子和空穴成对产生
D.受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子
第3题
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体
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B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
第5题
P型半导体中，多数载流子是()，少数载流子是()N型半导体中，多数载流子是()，少数载流子是。
P型半导体中，多数载流子是（)，少数载流子是（)N型半导体中，多数载流子是（)，少数载流子是。
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第11题
半导体具有光敏特性、()特性和掺杂特性。根据掺杂的不同，可分为N型半导体和()型半导体，半导体中有()和()两种载流子参与导电。
半导体具有光敏特性、（)特性和掺杂特性。根据掺杂的不同，可分为N型半导体和（)型半导体，半导体中有（)和（)两种载流子参与导电。
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