如果结果不匹配，请 
更多“N型半导体中的多数载流子是()。”相关的问题
第1题
P型半导体中，多数载流子是()，少数载流子是()N型半导体中，多数载流子是()，少数载流子是。
P型半导体中，多数载流子是（)，少数载流子是（)N型半导体中，多数载流子是（)，少数载流子是。
点击查看答案
第4题
异质结的超注入现象是指？（)
A.在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
B.在异质pn结中，由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度
C.在异质pn结中，宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中，其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
D.在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
第7题
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体
点击查看答案
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
第9题
半导体具有光敏特性、()特性和掺杂特性。根据掺杂的不同，可分为N型半导体和()型半导体，半导体中有()和()两种载流子参与导电。
半导体具有光敏特性、（)特性和掺杂特性。根据掺杂的不同，可分为N型半导体和（)型半导体，半导体中有（)和（)两种载流子参与导电。
点击查看答案
