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[主观题]

半导体具有光敏特性、()特性和掺杂特性。根据掺杂的不同,可分为N型半导体和()型半导体,半导体中有()和()两种载流子参与导电。

半导体具有光敏特性、()特性和掺杂特性。根据掺杂的不同,可分为N型半导体和()型半导体,半导体中有()和()两种载流子参与导电。

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第1题
半导体具有以下特征:()。P32

A.热敏特性

B.光敏特性

C.掺杂特性

D.绝缘特性

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第2题
本征半导体具有以下哪些特性?()①热敏性②光敏性③掺杂性④单向导电性

A.②、③、④

B.①、②、④

C.①、②、③

D.①、②、③、④

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第3题
半导体二极管具有()的特性。
半导体二极管具有()的特性。

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第4题
PN结具有一个显著的特点是(),正是利用该特点,所以将其制作成普通的二极管

A.击穿特性

B.频率特性

C.掺杂特性

D.单向导电性

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第5题
半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础,其主要特性是()

A.具有放大特性

B.具有改变电压特性

C.具有单向导电性

D.具有增强内电场性

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第6题
半导体PN结是构成各种导体器件的工作基础,其主要特性是()。

A.具有放大特性

B.具有改变电压特性

C.具有单向导电性

D.具有增强内电场性

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第7题
下列关于光敏二极管和光敏晶体管的对比不正确的是()。

A.光敏二极管的光电流很小,光敏晶体管的光电流则较大

B.光敏二极管与光敏晶体管的暗电流相差不大

C.工作频率较高时,应选用光敏二极管;工作频率较低时,应选用光敏晶体管

D.光敏二极管的线性特性较差,而光敏晶体管有很好的线性特性

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第8题
金属和半导体接触的整流特性可用于?()

A.制作肖特基势垒二极管

B.制作PN结二极管

C.给半导体器件接出金属引线

D.制作晶体管

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第9题
对于实际的MIS结构,哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线,使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移?()

A.金属和半导体之间存在功函数差

B.绝缘层中存在电荷

C.半导体与绝缘层的界面处存在表面态

D.外加偏压

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第10题
光控照明电路中的光控器,利用()的特性,根据光照强弱,实现自动开关照明的功能。

A.二极管

B.三极管

C.光敏电阻

D.电容

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