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[主观题]

四个FET的转移特性分别如图题5.3.5a,b,c,d所示,其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向.试问它们各是哪种类型的FET?

四个FET的转移特性分别如图题5.3.5a,b,c,d所示,其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向.试问它们各是哪种类型的FET?

四个FET的转移特性分别如图题5.3.5a,b,c,d所示,其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向

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第1题
电路参数如图题5.7.9所示。设FET的参数为gm=0.8mS,rds=200千欧;T2的β=40,rbe=1
千欧。试求该放大电路的电压增益Ae和输入电阻Ri。

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第2题
已知图P2.21(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)、(c)所示.(1)利用图解法求

已知图P2.21(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)、(c)所示.

(1)利用图解法求解Q点;

(2)利用等效电路法求解Au、Ri和R0.

图P2.21

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第3题
一个场效应管的转移特性曲线如图所示,试问:(1)它是N沟道还是P沟道的FET?(2)它的夹断电压uP

一个场效应管的转移特性曲线如图所示,试问:

(1)它是N沟道还是P沟道的FET?

(2)它的夹断电压uP和饱和漏极电流IDSS各是多少?

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第4题
FET恒流源电路如图题4.8.9所示。设已知管子的参数gm、rds,且μ=gmrds。试证明AB两
端的小信号电阻rAn

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第5题
电路如图题5.7.5所示,设FET的互导为gm,rdn很大;BJT的电流放大系数为β,输入电阻为r
br。(1)画出该电路的小信号等效电路;(2)说明T1,T2各组成什么组态;(3)求该电路的电压增益AP,输入电阻Ri及输出电阻R0的表达式。

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第6题
由三只特性相同的N-EMOSFET构成的电压-电流变换器如图NP4-13(a)所示,现将四个同样的变换器连
由三只特性相同的N-EMOSFET构成的电压-电流变换器如图NP4-13(a)所示,现将四个同样的变换器连

成图NP4-13(b)所示模拟相乘器,已知各管工作于饱和区,沟道长度调制效应忽略不计,输出电流i=i1-i2,试证:

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第7题
某场效应管的转移特性如图2-8所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第8题
设计三个电压比较器,它们的电压传输特性分别如图P8.15(a)、(b)、(c)所示.要求合理选择电路中各

设计三个电压比较器,它们的电压传输特性分别如图P8.15(a)、(b)、(c)所示.要求合理选择电路中各电阻的阻值,限定最大值为50kΩ.

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第9题
已知电路和场效应管的输出特性分别如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)和图题4.3.3b(主教材图题4.3.3
已知电路和场效应管的输出特性分别如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)和图题4.3.3b(主教材图题4.3.3

)所示。电路参数为,Rg1=180千欧,Rg2=60千欧,Rd=10千欧,RL=20千欧,VDD=10V。(1)试用图解法作出直流负载线,决定静态点Q值;(2)作交流负载线;(3)当vi=0.5sinwt(V)时求出相应的v0波形和电压增益。

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第10题
已知某与非门的电压传输特性、输入特性、输出特性分别如图2.15(a)、(b)、(e)、(d)曲线所示.试求出它

已知某与非门的电压传输特性、输入特性、输出特性分别如图2.15(a)、(b)、(e)、(d)曲线所示.试求出它的下列参数:

输出高电平UOH=();

输出低电平UOL=();

输入短路电流IIS=();高电平输入电流IIH=();

关门电平UOFF=();开门电平UON=();

低电平噪声容限UNL=();高电平噪声容限UNH=();

扇出系数NO=();门槛电平UTH=();

最大拉电流IOH=();最大灌电流IOL=()

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