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[多选题]

可逆反应A(g) + 3B(g)==2C(g)+ 2D(s) (正反应为放热反应)达到平衡时,要使正反应速率加快,同时平衡向正反应方向移动,可采取的措施是()

A.增大压力

B.增大D的浓度

C.使用催化剂

D.升高温度

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增大压力

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第1题
1molA(g)与1molB(g)发生下列可逆反应:在一定条件下达到平衡时,Y(g)为3/4mol.则该条件下可逆反

A.1/16

B.1/9

C.9

D.16

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第2题
电火花线切割3B编程格式中,B表示了(),X表示(),Y表示(),J表示(),G表示(),Z表示()。
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第3题
可逆反应为了提高CO的平衡转化率,可以采用的措施是()。A、增大总压力 B、升高温度 C、增大H2⌘

A.增大总压力

B.升高温度

C.增大H2O(g)的分压

D.加入催化剂

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第4题
在500 ~ 1000K温度范围内,反应A(g)+B(s)=2C(g)的标准平衡常数Kθ与温度T的关系为已知原
在500 ~ 1000K温度范围内,反应A(g)+B(s)=2C(g)的标准平衡常数Kθ与温度T的关系为已知原

在500 ~ 1000K温度范围内,反应A(g)+B(s)=2C(g)的标准平衡常数Kθ与温度T的关系为已知原料中只有反应物A(g)和过盘的B(s)。

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第5题
对于△H<0的反应2A(g)+B(g)⇌2C(g),增加压力使C、B、A的浓度均增加,正逆反应速率增加,但正反应速率增加的倍数大于逆反应增加的倍数,所以平衡向右移动。()
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第6题
半导体工业生产单质硅的过程中有三个重要反应:(1)二氧化硅被还原为粗硅:SiO2(g)+2C(s)→Si
半导体工业生产单质硅的过程中有三个重要反应:(1)二氧化硅被还原为粗硅:SiO2(g)+2C(s)→Si

半导体工业生产单质硅的过程中有三个重要反应:

(1)二氧化硅被还原为粗硅:SiO2(g)+2C(s)→Si(s)+2CO(g)

(2)硅被氯氧化成四氯化硅:Si(s)+2Cl2(g)→SiCl4(g)

(3)四氯化硅被镁还原生成纯硅:SiCl4(g)+2Mg(s)→2MgCl2(s)+Si(g)

计算上述各反应的(298K)和生产1.00kg纯硅的总反应热.

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第7题
对于恒温恒容条件下已经达到平衡的反应A(g)+2B(g)→2C(g),若通入惰性气体,则下列叙述中正确的是()。

A.K不变,平衡不移动

B.K不变,平衡右移

C.K变大,平衡不移动

D.K变大,平衡右移

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第8题
在800K和100kPa下,将8.0molSO2和4.0molO2加入到含有催化剂MnO2的密闭容器中,在
等温等压下发生下列可逆反应:

反应达到平衡时,测得混合物中有6.0molSO2(g)。试计算:

(1)该可逆反应在800K时的标准平衡常数和标准摩尔吉布斯自由能变;

(2)SO2在上述条件下的平衡转化率。

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第9题
已知下列各反应298K时的自由能改变量: (1)试通过计算说明,制备单质Si的反应: SiO2(s)+2
已知下列各反应298K时的自由能改变量: (1)试通过计算说明,制备单质Si的反应: SiO2(s)+2

已知下列各反应298K时的自由能改变量:

(1)试通过计算说明,制备单质Si的反应:

SiO2(s)+2C(s)=Si(s)+2CO(g)

在常温下不能自发进行。

(2)查热力学数据表,计算上述制备反应的,进一步计算该反应进行的最低温度要求。

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第10题
求f[f(x)],g[g(x)],f[g(x)]与g[f(x)],其中:
求f[f(x)],g[g(x)],f[g(x)]与g[f(x)],其中:

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第11题
滴定液的浓度系指()。

A.%(g/g)

B.%(ml/ml)

C.mol/L

D.g/100ml

E.g/100g

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