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8.24μH，L2=95.68nH，变压器耦合系数k=0.9999;电流源电流IEE=4mA。(1)试分析电路，观察并记录两晶体管集电极输出电压波形，并由T2管集电极输出波形，计算振荡频率。(2)若将IEE改为2mA，再做(1)的分析和记录，并比较结果。(3)试确定最小工作电流IEE值。
n(2πX10³t)(V)。(1)试求输出电压振幅。(2)画出T3，T4管集电极电压波形和T1，T2管发射极电流波形。(3)若T2管损坏(断开)，试求输出电压值，并分析原因。
在图LP6-12所示的反对数变换器中,试证:
,其中τ=(R2+R3)/R3VT.已知VR=7V,R1=10kΩ,R2=15.7kΩ,R3=1kΩ,R5=10kΩ,试问:当υs由1mV变到10V时,在室温下相应υ0的变化范围是多少？
设各集成运放是理想的,各晶体管特性相同.
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的
沟道长度调制效应忽略不计,试求
值.
在图LP4-69所示的共集电极电路中,已知晶体三极管在ICQ=2mA时的参数为rbb=50Ω,
试求高频电压传递函数
的表示式.
在图NPS4-7(a)所示三极管混频原理电路中，若设输出中频频率fI=1MHz，输入信号
，本振电压
，晶体管T选用Q2N2222。(1) 选择L和C值，使输出振荡回路谐振在1MHz上，回路上并接10kΩ的电阻。(2)测试并记录输出电压VΩ的峰—峰值。(3)进行频谱分析，分别记录1MHz、2MHz、3MHz频率的谱线值。
试求I3。
与总电流
相位相同。
