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第9题
下列关于能带结构的说法中，错误的是（)。
A.硅是间接带隙半导体
B.禁带宽度具有负的温度系数
C.室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV
D.位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负
第10题
半导体工业生产单质硅的过程中有三个重要反应:(1)二氧化硅被还原为粗硅:SiO2(g)+2C(s)→Si
半导体工业生产单质硅的过程中有三个重要反应:（1)二氧化硅被还原为粗硅:SiO2（g)+2C（s)→Si
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半导体工业生产单质硅的过程中有三个重要反应:
(1)二氧化硅被还原为粗硅:SiO2(g)+2C(s)→Si(s)+2CO(g)
(2)硅被氯氧化成四氯化硅:Si(s)+2Cl2(g)→SiCl4(g)
(3)四氯化硅被镁还原生成纯硅:SiCl4(g)+2Mg(s)→2MgCl2(s)+Si(g)
计算上述各反应的
(298K)和生产1.00kg纯硅的总反应热.
第11题
如果（1)硅用铝（3价)、（2)硅用磷（5价)参杂;而（3)锗用铟（3价)、（4)锗用锑（5价)掺杂;则分别获得半导体属于下述类型正确的是（)。
A.(1)(2)均为n型半导体;(3)(4)均为p型半导体
B.(1)(3)均为n型半导体;(2)(4)均为p型半导体
C.(1)(3)均为p型半导体;(2)(4)均为n型半导体
D.(1)(2)均为p型半导体;(3)(4)均为n型半导体
