不考虑界面态时,对于反型异质pn结的能带结构描述正确的是?()
A.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用,而△Ev则对n区空穴向p区运动没有明显的影响
B.△Ec对n区电子向p区的运动起势垒作用,而△Ev则对p区空穴向n区运动没有明显的影响
C.△Ec对p区电子向n区的运动没有明显的影响,而△Ev对n区空穴向p区运动起势垒作用
D.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用,△Ev对n区空穴向p区运动也起势垒作用
A.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用,而△Ev则对n区空穴向p区运动没有明显的影响
B.△Ec对n区电子向p区的运动起势垒作用,而△Ev则对p区空穴向n区运动没有明显的影响
C.△Ec对p区电子向n区的运动没有明显的影响,而△Ev对n区空穴向p区运动起势垒作用
D.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用,△Ev对n区空穴向p区运动也起势垒作用
A.此时异质结界面两边的状态完全由界面态电荷决定,与功函数等没有关系
B.对于 n 型半导体,在半导体表面形成很薄的多子积累层
C.对于 p 型半导体,在半导体表面形成很厚的耗尽层
D.对于n型半导体,在半导体表面形成很厚的耗尽层
E.对于p 型半导体,在半导体表面形成很薄的多子积累层
A.在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
B.由于两种材料热膨胀系数不同,在高温下引入界面态
C.化合物半导体构成的异质结中,由于成分元素的互扩散,引入界面态
D.半导体材料的表面吸附
A.异质 pn 结的高注入特性是区别同质 pn 结的主要特点之一
B.决定同质pn结注入比的是掺杂浓度,要想获得大的注入比就要求
C.决定异质pn结注入比的是 ,通常可获得较大的注入比
D.同质pn结具有比异质pn结更大的注入比
A.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
B.在异质pn结中,由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度
C.在异质pn结中,宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中,其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
D.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
A.PN结电击穿时,在外电压撤除后能够恢复原状态
B.雪崩击穿属于电击穿
C.齐纳击穿原理与雪崩击穿原理近似相同,都是在外加反向电压下实现的
D.稳压二极管就是利用齐纳击穿原理实现的