异质结的超注入现象是指?()
A.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
B.在异质pn结中,由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度
C.在异质pn结中,宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中,其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
D.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
A.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
B.在异质pn结中,由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度
C.在异质pn结中,宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中,其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
D.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
A.异质 pn 结的高注入特性是区别同质 pn 结的主要特点之一
B.决定同质pn结注入比的是掺杂浓度,要想获得大的注入比就要求
C.决定异质pn结注入比的是 ,通常可获得较大的注入比
D.同质pn结具有比异质pn结更大的注入比
A.在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
B.由于两种材料热膨胀系数不同,在高温下引入界面态
C.化合物半导体构成的异质结中,由于成分元素的互扩散,引入界面态
D.半导体材料的表面吸附
A.此时异质结界面两边的状态完全由界面态电荷决定,与功函数等没有关系
B.对于 n 型半导体,在半导体表面形成很薄的多子积累层
C.对于 p 型半导体,在半导体表面形成很厚的耗尽层
D.对于n型半导体,在半导体表面形成很厚的耗尽层
E.对于p 型半导体,在半导体表面形成很薄的多子积累层
A.在文学的比较研究中可采用归类的方法,即站在总体文学的高度,将异质文明中的文学现象加以分类,并归结为若干理论问题,加以对比研究,进而达到特定的融合
B.“附录发”也是研究异质文明间文学融汇的一种重要途径
C.钱钟书在谈艺录和管锥编中所采用的“引证法”也是比较文学在异质文明之间互补与融会的一种有效途径
D.“混用法”将不同文学的各种观念、范畴、术语等汇聚一处,熔铸成一个统一的理论体系
E.宗白华在美学散步中采用的“混合法”也是实现异质文明互补和融会的一种有效途径