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[主观题]

‍假设在PN结上加上一个电压,使p区的电势相对于n区升高,其表现出来的结果是电流从p区向n区流过二极管,此时二极管处于()(填“正”或“反”)偏置状态。

‍假设在PN结上加上一个电压,使p区的电势相对于n区升高,其表现出来的结果是电流从p区向n区流过二极管,此时二极管处于()(填“正”或“反”)偏置状态。

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第1题
下列选项中,不属于对PN结空间电荷区放电的是()。

A.在PN结上的正向电压减小

B.在PN结上的反向电压增加

C.使空间电荷区势垒宽度增加

D.使载流子从半导体流入空间电荷区

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第2题
为了不使PN结上功耗过大而造成稳压管的损坏,稳压管工作时必须()一个适当的限流电阻。

A.串联

B.并联

C.短接

D.以上都对

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第3题
PN结正偏时,P区接电源的正极,N区接电源的负极。()
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第4题
pn结空间电荷区形成的自建电场的方向是从p指向n。()
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第5题
PN结正向偏置是指P型区接电源的负极,N型区接电源的正极。()
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第6题
pn结实际电流电压特性偏离理想值的原因不包括()。

A.体电阻上压降

B.势垒区的产生与复合

C.大注入条件

D.pn结反向击穿

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第7题
PN结就是在P型和N型的交界处形成的一个具有特殊性质的区域。()
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第8题
若给PN结两端加反向电压时,空间电荷区将()。

A.变窄

B.基本不变

C.变宽

D.无法确定

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第9题
两只12欧的电阻并联,加上12伏电压,电路上总电流为1安。()
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第10题
下列关于PN结隧道击穿的说法中,错误的是()。

A.势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿

B.隧道击穿也称齐纳击穿

C.隧道击穿发生在重掺杂PN结中

D.隧道击穿的击穿电压温度系数为负

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第11题
不考虑界面态时,对于反型异质pn结的能带结构描述正确的是?()

A.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用,而△Ev则对n区空穴向p区运动没有明显的影响

B.△Ec对n区电子向p区的运动起势垒作用,而△Ev则对p区空穴向n区运动没有明显的影响

C.△Ec对p区电子向n区的运动没有明显的影响,而△Ev对n区空穴向p区运动起势垒作用

D.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用,△Ev对n区空穴向p区运动也起势垒作用

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