A.此时异质结界面两边的状态完全由界面态电荷决定,与功函数等没有关系
B.对于 n 型半导体,在半导体表面形成很薄的多子积累层
C.对于 p 型半导体,在半导体表面形成很厚的耗尽层
D.对于n型半导体,在半导体表面形成很厚的耗尽层
E.对于p 型半导体,在半导体表面形成很薄的多子积累层
A.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用,而△Ev则对n区空穴向p区运动没有明显的影响
B.△Ec对n区电子向p区的运动起势垒作用,而△Ev则对p区空穴向n区运动没有明显的影响
C.△Ec对p区电子向n区的运动没有明显的影响,而△Ev对n区空穴向p区运动起势垒作用
D.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用,△Ev对n区空穴向p区运动也起势垒作用