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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向？（)

A.(100)

B.(111)

C.(110)

D.(211)

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第1题

当硅中掺杂以施主杂质(v族元素：磷、砷、锑等)为主时，以（）导电为主，成为N型硅；当硅中掺杂以受主杂质(Ⅲ族元素：硼、铝、镓等)为主时，以（）导电为主，成为P型硅。

当硅中掺杂以施主杂质（v族元素：磷、砷、锑等)为主时，以（）导电为主，成为N型硅；当硅中掺杂以受主杂质（Ⅲ族元素：硼、铝、镓等)为主时，以（）导电为主，成为P型硅。

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第2题

如果（1)硅用铝（3价)、（2)硅用磷（5价)参杂;而（3)锗用铟（3价)、（4)锗用锑（5价)掺杂;则分别获得半导体属于下述类型正确的是（)。

A.(1)(2)均为n型半导体;(3)(4)均为p型半导体

B.(1)(3)均为n型半导体;(2)(4)均为p型半导体

C.(1)(3)均为p型半导体;(2)(4)均为n型半导体

D.(1)(2)均为p型半导体;(3)(4)均为n型半导体

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第3题

硅光电二极管与硅光电池比较，前者（)。

A. 掺杂浓度低

B. 电阻率低

C. 零偏工作

D. 光敏面积大

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第4题

以下选项中，属于人员促销的有()。

A.社会公益赞助活动

B.在营业地点设置专门咨询服务台，由熟悉业务的职员向客户介绍产品

C.建立客户经理制

D.促销策略联盟

E.艺术和体育投资

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第5题

硅光电二极管与硅光电池相比，前者比后者不正确的说法是（)

A. 衬底掺杂浓度高;

B. 电阻率高;

C. 光敏面小;

D. 前者反偏后者无偏;

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第6题

正确科技含量不高的产品，营业员可以边介绍边向顾客演示。

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第7题

气体扩散法是将含()的气体在高温下向硅片进行扩散，形成()，一般都用这一方法。

气体扩散法是将含（)的气体在高温下向硅片进行扩散，形成（)，一般都用这一方法。

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第8题

硅片最常见的沾污类型有（)、（)、（)、（)和（)。

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第9题

在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即（)和（)。

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第10题

GB／T16752－2006中，管材需要检测哪些外观质量（)A蜂窝、漏筋B空鼓、粘皮C裂缝、缺边D少角、断裂E麻

GB/T16752-2006中，管材需要检测哪些外观质量()

A蜂窝、漏筋

B空鼓、粘皮

C裂缝、缺边

D少角、断裂

E麻面、塌落

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