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[判断题]

金属氧化物半导体场效应管是集成电路中最重要的单极器件。（)

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第1题

混合集成电路是由半导体集成电路,膜集成电路和分离元件中（)构成的集成电路。

A.至少一种

B.至少两种

C.至少三种

D.至少四种

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第2题

集成电路中，主要包括______，______和半导体元件。电路元件具有良好的______和______。

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第3题

场效应管属于___型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是___型器件。

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第4题

固体半导体摄像元件CCD是一种（)。

A.PN结光电二极管电路

B.PNP型晶体管集成电路

C.MOS型电容阵列

D.NPN型晶体管集成电路

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第5题

集成电路的封装按封装材料划分为（)。

A.金属封装

B.陶瓷封装

C.半导体封装

D.塑料封装

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第6题

某二价金属3.2g，在氧气中燃烧生成4.0g氧化物，该金属元素的相对原子量是（)。

A.64

B.8

C.32

D.40

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第7题

集成电路布图设计权赋予设计人对自己创作完成的半导体集成电路布图设计享有（)权和（)权。

A.制作

B.复制

C.商业利用

D.使用

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第8题

以“凡半导体都是良导体”和“有些半导体是金属”为前提构造三段论，则（)。

A.可推出“有些金属是良导体”

B.会犯“大项扩大”的错误

C.会犯“小项扩大”的错误

D.会犯“中项不周延”的错误

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第9题

以下关于理想MOS结构的说法中，正确的是（)。

A.不考虑Si-SiO2界面的结构

B.不考虑金属和半导体之间的功函数之差

C.金属和半导体之间不会通过SiO2层交换电子

D.都正确

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第10题

所谓预硫化是指加氢原料进入催化剂床层之前，在氢气存在下，用（)与催化剂中活性金属氧化物反应，使其成为活性金属硫化物组分。

A.硫醚

B.硫醇

C.硫化氢

D.硫酸

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第11题

在阳极区,金属以（)的形式溶于周围介质中而造成金属体的电化学腐蚀。

A.单质

B.固体

C.离子

D.氧化物

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