首页 > 专业科目
题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

以下关于理想MOS结构的说法中,正确的是()。

A.不考虑Si-SiO2界面的结构

B.不考虑金属和半导体之间的功函数之差

C.金属和半导体之间不会通过SiO2层交换电子

D.都正确

查看答案
答案
收藏
如果结果不匹配,请 联系老师 获取答案
您可能会需要:
您的账号:,可能还需要:
您的账号:
发送账号密码至手机
发送
安装优题宝APP,拍照搜题省时又省心!
更多“以下关于理想MOS结构的说法中,正确的是()。”相关的问题
第1题
关于双芯片上芯产品的上芯控制要求,以下哪些说法是正确的()

A.双芯片上芯产品,一次上芯应先加工导电胶粘片的产品

B.一次上芯后,应进行烘烤后,方可进行二次上芯

C.二次上芯产品烘烤后,可以放置在生产现场的货架上,不必要放在氮气柜中

D.双芯片上芯产品,应优先粘MOS芯片

E.DIP双芯片产品,如发现MOS芯片使用DAD系列粘片胶的,应立即停机反馈

点击查看答案
第2题
理想MOS结构半导体表面空间电荷区的平带电容可用极板间距为德拜长度LD的平板电容公式表示。()
点击查看答案
第3题
以下各项与理想MOS平带电容无关的是()。

A.温度

B.掺杂浓度

C.氧化层厚度

D.非本征德拜长度

点击查看答案
第4题
以下关于地下连续墙施工的优点的描述正确的是()

A.仅作支护结构时,造价比较高

B.可用于逆作法施工

C.泥浆的处理尚不完善

D.墙面的平整度和光滑度不够理想

点击查看答案
第5题
以下关于欧拉方程的基本假定说法中,错误的是()。

A.流动可随时间变化

B.不可压缩流体

C.叶轮的叶片数目为无限多,叶片厚度为无限薄

D.流体在整个叶轮中的流动过程为一理想过程

点击查看答案
第6题
以下关于狭义项目融资说法中,正确的是()

A.属于资产负债表之外的融资

B.融资成本较低,所需时间较长

C.项目的资产所有权结构是项目融资的核心部分

D.贷款人可是实施无限追索

点击查看答案
第7题
n沟增强型MOS管的源端接地,工作在饱和工作区时,以下说法中错误的是()。

A.此时满足条件

B.沟道夹断点从源端向漏端移动

C.沟道夹断点电压为

D.沟道夹断区为耗尽区

点击查看答案
第8题
关于道德规范的说法中,正确的是()。A.道德规范是没有共同标准的行为规范B.道德规范只是一种理想规

关于道德规范的说法中,正确的是()。

A.道德规范是没有共同标准的行为规范

B.道德规范只是一种理想规范

C.道德规范是做人的准则

D.道德规范缺乏约束力

点击查看答案
第9题
以下关于权力距离的说法正确的是()。

A.权力距离高的国家对于权利分配不平等这一事实更容易接受

B.权力距离大小在企业组织结构中会有较明显的表现

C.权力距离小的文化中的组织结构一般比较扁平

D.权力距离大的国家倾向于用自下而上的决策方式

点击查看答案
第10题
以下关于儿童维持性血液透析患者发生贫血说法正确的是()。

A.发生率高于成人

B.发生率低于成人

C.红细胞生成素(EPO)治疗效果理想

D.相较于成人年幼儿童红细胞生成素(EPO)使用剂量较大

E.红细胞生成素(EPO)使用指征、方法及副作用与成年人相同

点击查看答案
退出 登录/注册
发送账号至手机
密码将被重置
获取验证码
发送
温馨提示
该问题答案仅针对搜题卡用户开放,请点击购买搜题卡。
马上购买搜题卡
我已购买搜题卡, 登录账号 继续查看答案
重置密码
确认修改