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[单选题]
下列关于半导体应变片的说法错误的是()。
A.半导体材料的压阻效应是指当半导体材料某一轴向受外力作用时,其电阻率P发生变化的现象
B.半导体应变片的灵敏系数极大,因而输出也大,可以不需要放大器直接与记录仪器连接
C.半导体应变片的优点是电阻值和灵敏系数的温度稳定性很好
D.半导体应变片按照特性分类,可分为灵敏系数补偿型应变片和非线性补偿应变片
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A.半导体材料的压阻效应是指当半导体材料某一轴向受外力作用时,其电阻率P发生变化的现象
B.半导体应变片的灵敏系数极大,因而输出也大,可以不需要放大器直接与记录仪器连接
C.半导体应变片的优点是电阻值和灵敏系数的温度稳定性很好
D.半导体应变片按照特性分类,可分为灵敏系数补偿型应变片和非线性补偿应变片
A.自由电子是多数载流子
B.在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极
C.在纯净的硅晶体中加入三价元素硼,可形成N型半导体
D.在PNP型晶体管中,基区是N型半导体
A.费米能级表征电子的填充情况,费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小,费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D.N型半导体掺杂越高,费米能级离禁带中央越远
A.硅是间接带隙半导体
B.禁带宽度具有负的温度系数
C.室温下,硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV
D.位于能带底的电子,其有效质量为正,位于能带顶的电子,其有效质量为负