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[单选题]

下列关于半导体应变片的说法错误的是()。

A.半导体材料的压阻效应是指当半导体材料某一轴向受外力作用时,其电阻率P发生变化的现象

B.半导体应变片的灵敏系数极大,因而输出也大,可以不需要放大器直接与记录仪器连接

C.半导体应变片的优点是电阻值和灵敏系数的温度稳定性很好

D.半导体应变片按照特性分类,可分为灵敏系数补偿型应变片和非线性补偿应变片

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第1题
下列哪项不是半导体应变片的优点()。

A.体积小

B.灵敏度高

C.温度稳定性能好

D.易于集成化

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第2题
金属应变片是根据(正)应变效应原理工作的;半导体应变片是根据压阻效应原理工作的。()
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第3题
半导体应变片在工作时无几何效应这是其同金属应变片的主要区别。()
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第4题
半导体应变片与金属应变片相比,半导体应变片灵敏度更高,温度稳定性也更好。()‎
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第5题
常见的电阻应变片类型主要包括()

A.金属丝式

B.箔式

C.电容式

D.半导体式

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第6题
应变传感器按材料的来看主要有以下几种类型()。

A.金属应变片

B.薄膜应变片

C.铜应变片

D.半导体应变片

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第7题
下列关于应变的说法中,错误的是()。

A.应变是量纲为一的量

B.应变是位移的度量

C.应变分正应变和切应变两种

D.应变是变形的度量

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第8题
关于N型半导体的下列说法,错误的是()。

A.自由电子是多数载流子

B.在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极

C.在纯净的硅晶体中加入三价元素硼,可形成N型半导体

D.在PNP型晶体管中,基区是N型半导体

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第9题
下列关于费米能级的说法错误的是()。

A.费米能级表征电子的填充情况,费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小,费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大

B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近

C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶

D.N型半导体掺杂越高,费米能级离禁带中央越远

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第10题
下列关于能带结构的说法中,错误的是()。

A.硅是间接带隙半导体

B.禁带宽度具有负的温度系数

C.室温下,硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV

D.位于能带底的电子,其有效质量为正,位于能带顶的电子,其有效质量为负

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