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动态RAM、静态RAM都是易失性半导体存储器。()

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第1题
下列有关RAM和ROM的叙述中,错误的是()。

A.RAM是易失性存储器,ROM是非易失性存储器

B.RAM和ROM都采用随机存取方式进行信息访问

C.RAM和ROM都可用作Cache

D.RAM和ROM都需要进行刷新

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第2题
动态MOS存储单元存储信息的原理是利用栅极具有()的作用.半导体RAM的典型结构由三部分组成:()、()和().

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第3题
下列半导体存储器中,基于FLASH芯片的是()。

A.RAM

B.DRAM

C.SRAM

D.RAMNon-volatile

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第4题
一个RAM芯片的结构示意图如图7.1所示.试问:(1)该RAM芯片有多少个存储单元?每次能访间多少个存

一个RAM芯片的结构示意图如图7.1所示.试问:

(1)该RAM芯片有多少个存储单元?每次能访间多少个存储单元?

(2)该RAM有多少个字?每个字有多少位?

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第5题
内部RAM从DATA开始的区域中存放着10个单字节十进制数,求其累加和,并将结果存入SUM和SUM+1单元。

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第6题
内部RAM从DATA1和DATA2单元开始处存放着两个等长的数据块,数据块的长度在LEN单元中。请编程检查这两个数据块是否相等,若相等,将0FFH写入RESULT单元,否则将0写入RESULT单元。

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第7题
设CPU共有16根地址线,8根数据线,并用MREQ作访存控制信号(低电平有效),用WR作读写控制信号(高
设CPU共有16根地址线,8根数据线,并用MREQ作访存控制信号(低电平有效),用WR作读写控制信号(高

电平为读,低电平为写)。现有下列存储芯片:1K×4位RAM,4K×8位RAM,2K×8位ROM,以及74138译码器和各种门电路,如图所示。画出CPU与存储器连接图,要求:1.主存地址空间分配:8000H~87FFH为系统程序区;8800H~8BFFH为用户程序区。

2.合理选用上述存储芯片,说明各选几片?

3.详细画出存储芯片的片选逻辑。

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第8题
名词:sram,ssram,sdram 名词IRQ,BIOS,USB,VHDL,SDR IRQ: Interrupt ReQuest BIOS: Basic inpu

名词:sram,ssram,sdram

名词IRQ,BIOS,USB,VHDL,SDR

IRQ: Interrupt ReQuest

BIOS: Basic input Output System

USB: Universal Serial Bus

VHDL: VHIC Hardware Description Language

SDR: Single Data Rate

压控振荡器的英文缩写(VCO)。

动态随机存储器的英文缩写(DRAM)。

名词解释,无聊的外文缩写罢了,比如PCI、ECC、DDR、interrupt、pipeline IRQ,BIOS, USB,VHDL,VLSI VCO(压控振荡器) RAM (动态随机存储器),FIR IIR DFT(离散傅立叶变换 )或者是中文的,比如:a.量化误差 b.直方图 c.白平衡

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第9题
名词:sram,ssram,sdram名词IRQ,BIOS,USB,VHDL,SDRIRQ: Interrupt ReQuestBIOS: Basic Input O

名词:sram,ssram,sdram

名词IRQ,BIOS,USB,VHDL,SDR

IRQ: Interrupt ReQuest

BIOS: Basic Input Output System

USB: Universal Serial Bus

VHDL: VHIC Hardware Description Language

SDR: Single Data Rate

压控振荡器的英文缩写(VCO)。

动态随机存储器的英文缩写(DRAM)。

名词解释,无聊的外文缩写罢了,比如PCI、ECC、DDR、interrupt、pipeline、

IRQ,BIOS,USB,VHDL,VLSI VCO(压控振荡器) RAM (动态随机存储器),FIR IIR DFT(离散

傅立叶变换)或者是中文的,比如:a.量化误差 b.直方图 c.白平衡

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第10题
RAM指是:()。

A.随机存储器

B.软盘存储器

C.只读存储器

D.高速缓存器

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第11题
在微型计算机的微处理芯片上,主要集成了()。

A.CPU和RAM

B.控制器和运算器

C.、控制器和RAM

D.运算器和I/O接口

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