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[主观题]

电路如图题7.1.1所示,IREF=I1=1mA, NMOS管的参数为:VTN=1V,Kn=50μA/V2

电路如图题7.1.1所示,IREF=I1=1mA, NMOS管的参数为:VTN=1V,Kn=50μA/V2,λn=0。PMOS管的参数为:VTP= -1V,KP=25μA/V,λP=0,设全部管子均运行于饱和区,试求R、I3和I4的值。各管的W/L值见图示。

电路如图题7.1.1所示,IREF=I1=1mA, NMOS管的参数为:VTN=1V,Kn=50μA

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第1题
如图4-42所示电路(1)若初始无储能,信号源为i(t),为求i1(t)(零状态响应),列写转移函数H{s);(2)
如图4-42所示电路(1)若初始无储能,信号源为i(t),为求i1(t)(零状态响应),列写转移函数H{s);(2)

如图4-42所示电路

(1)若初始无储能,信号源为i(t),为求i1(t)(零状态响应),列写转移函数H{s);

(2)若初始状态以i1(0),v2(0)表示(都不等于零),但i(t)=0(开路).求i1(t)(零输入响应).

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第2题
差分放大电路如图LT4-17所示,已知β=60,VBE(on)=0.7V.(1)求ICQ1、ICQ2、VCEQ1、V≇
差分放大电路如图LT4-17所示,已知β=60,VBE(on)=0.7V.(1)求ICQ1、ICQ2、VCEQ1、V≇

差分放大电路如图LT4-17所示,已知β=60,VBE(on)=0.7V.(1)求ICQ1、ICQ2、VCEQ1、VCEQ2.(2)求Rid、Rod、Avd2、Apo2、KCMR.(3)当υi1=100mV,υi2=50mV时,分别求出υ0与V0的值.

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第3题
三绕阻变压器构成的功率合成电路如图NP1-C6所示。试证明:(1)若id=ib,v2=vb,即
三绕阻变压器构成的功率合成电路如图NP1-C6所示。试证明:(1)若id=ib,v2=vb,即

反相功率输入时PC=0.Pd=2(VdIfo);(2)若i1=-iL,vp=-v3,即相同功率输入时,Pd=0,Pp=2(VdIf);(3)隔离条件为Rc=n²Rd。设变压器为理想的。

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第4题
电路如图题12-9所示,已知。

电路如图题12-9所示,已知

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第5题
二极管电路如图题3.4.8a所示,设输入电压v1(t)波形如图b所示,在0~5ms的时间间隔内,试绘出v≇
二极管电路如图题3.4.8a所示,设输入电压v1(t)波形如图b所示,在0~5ms的时间间隔内,试绘出v≇

二极管电路如图题3.4.8a所示,设输入电压v1(t)波形如图b所示,在0~5ms的时间间隔内,试绘出vo(t)的波形,设二极管是理想的。

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第6题
设输出特性如图题5.3.1所示的BJT接入图题5.3.2所示的电路,图中VCC=15V,Re=1.5千欧,i
n=20μA,求该器件的Q点。

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第7题
在如图题9.4.7ab所示电路中,试用图解法求出负载上的输出功率和效率。

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第8题
电路如图题10.7.1所示,试用相位平衡条件判断哪个能振荡,哪个不能,说明理由。

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第9题
电路如图题5.5.3所示,设β=100,Rsi=2千欧,试求:(1)Q点;(2)输入电阻Ri;(3)电压增益Aes
电路如图题5.5.3所示,设β=100,Rsi=2千欧,试求:(1)Q点;(2)输入电阻Ri;(3)电压增益Aes

1=v01/vN和Aes2=v02/vN;(4)输出电阻R01和R02

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第10题
电路如图题1-5所示,电源电压us=10sinωtV,二极管等效成开关模型,试画出二极管两端电压u0⌘

电路如图题1-5所示,电源电压us=10sinωtV,二极管等效成开关模型,试画出二极管两端电压u0的波形,并标出幅值。

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