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[主观题]

在图P4.9所示电路中,已知T1~T3管的特性完全相同,β>>2;反相输入端的输入电流为iI1,

同相输入端的输入电流为iI2.试问:在图P4.9所示电路中,已知T1~T3管的特性完全相同,β>>2;反相输入端的输入电流为iI1,同相

在图P4.9所示电路中,已知T1~T3管的特性完全相同,β>>2;反相输入端的输入电流为iI1,同相

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第1题
在图NPS1-9(a)所示电路中,晶体管参数β=50,IS=10-14A,输入信号源电压v1(t)=5+2si
在图NPS1-9(a)所示电路中,晶体管参数β=50,IS=10-14A,输入信号源电压v1(t)=5+2si

n(2πX10³t)(V)。(1)试求输出电压振幅。(2)画出T3,T4管集电极电压波形和T1,T2管发射极电流波形。(3)若T2管损坏(断开),试求输出电压值,并分析原因。

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第2题
图NP4- 10所示为单差分对管电路,图中T1~T3、D1组成差分放大器,组成三个电流源电路

图NP4- 10所示为单差分对管电路,图中T1~T3、D1组成差分放大器,组成三个电流源电路,若各管β足够大,VBE(on)可忽略,试导出输出电流i的表达式。若,试画出下列两种情况下的输出电流i的波形及其频谱图:(1)V1m很小,处于小信号工作状态;(2)V1m很大,处于开关工作状态。

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第3题
图LP2-18所示为二级放大电路,已知β=100,(1)试求集电极电流IC1、IC2,集电极电压VC1
图LP2-18所示为二级放大电路,已知β=100,(1)试求集电极电流IC1、IC2,集电极电压VC1

图LP2-18所示为二级放大电路,已知β=100,(1)试求集电极电流IC1、IC2,集电极电压VC1、VC2;

(2)若RB2改为3kΩ,试指出T1和T2管的工作模式;

(3)若RC2改为5.1kΩ,试求β2(sat)值,并与放大模式下β=100比较.

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第4题
电路如图P4.5所示,T与T,管特性相同,它们的低频跨导为gm;T3与T4管特性对称;T1与T
4管d-s间的动态电阻分别为rds2和rds4.试求出电压放大倍数Auu0/Δ(u11-u12)的表达式.

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第5题
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

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第6题
在图LP4-3所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7 V,ICBO=10-15A,试求温
在图LP4-3所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7 V,ICBO=10-15A,试求温

度升高40℃时的ICQ与VCEQ值。

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第7题
差分放大电路如图LT4-18所示,已知各管β值都为100,VBE(on)都为0.7V.(1)说明T3、T4
差分放大电路如图LT4-18所示,已知各管β值都为100,VBE(on)都为0.7V.(1)说明T3、T4

的作用.(2)求ICQ1、ICQ2.(3)求差模增益Atd1.

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第8题
电路如图题7.2.5所示,电路参数如图所示,已知JFET的IDSS=4mA,VTP=-2V,T1、T2
电路如图题7.2.5所示,电路参数如图所示,已知JFET的IDSS=4mA,VTP=-2V,T1、T2的gm=1.41mS,电流源电路T3的gm3=2mS,电流源的动态电阻RAB=2110千欧。(1)求电路Aed2、Aec2(从d2输出时)和KcCMR2;(2)当vi1=50mV,vi2=10mV时,求v02等于多少? (3)求差模输入电阻Rid,共模输入电阻Ric和输出电阻R02

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第9题
在图LP4-2所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7V,ICBO=10-15A,试求:室
在图LP4-2所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7V,ICBO=10-15A,试求:室

温下ICQ、VCEQ值,温度升高40℃、降低60℃两种情况下VCEQ值,并分析其工作模式.

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第10题
在图NP4-36(a)所示的参量放大器中,已知变容管的伏库特性为v=kq2,试求:(1)RL上输出
在图NP4-36(a)所示的参量放大器中,已知变容管的伏库特性为v=kq2,试求:(1)RL上输出

信号功率Pd;(2)功率增益Pc/PAS值,其中PAS=V2S/4RS;(3)电路成为振荡器的条件。

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