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[单选题]
SiHCI3还原法制备晶体硅,在生产过程中不需要控制()
A.反应温度在280°C~300C之间
B.硅粉与HCI在进入反应炉前要充分千
C.晶体生长速度
D.合成时加入少量的催化剂,可降低温度
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A.反应温度在280°C~300C之间
B.硅粉与HCI在进入反应炉前要充分千
C.晶体生长速度
D.合成时加入少量的催化剂,可降低温度
A.直接还原产生的海绵铁中能氧化发热的元素如硅、碳等含量很少,适用于电弧炉炼钢
B.海绵铁的活性大、易氧化,长途运输和长期保存困难
C.在高于矿石熔化温度下,通过固态还原,把铁矿石炼制成铁的工艺过程
D.直接还原竖炉的典型代表是Midrex法
照国标检测,用()g钢球,从高度()处自由落下,冲击玻璃板的中心点附近,玻璃不破裂,保证玻璃的抗冲击性,提高产品在恶劣环境中的安全系数。
A.颗粒聚集长大
B.均相成核作用
C.表面吸附杂质
D.生成晶体形态
A.自由电子是多数载流子
B.在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极
C.在纯净的硅晶体中加入三价元素硼,可形成N型半导体
D.在PNP型晶体管中,基区是N型半导体