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[主观题]

在T=300K,p=102.0kPa的外压下,质量摩尔浓度b1=0.002mol·kg-1的蔗糖水溶液的渗透压为Ⅱ1,b2=0.002mol·kg-1的KCl水溶液的渗透压为Ⅱ2,则必然存在Ⅱ2()Ⅱ1的关系.

在T=300K,p=102.0kPa的外压下,质量摩尔浓度b1=0.002mol·kg-1的蔗糖水溶液的渗透压为Ⅱ1,b2=0.002mol·kg-1的KCl水溶液的渗透压为Ⅱ2,则必然存在Ⅱ2()Ⅱ1的关系.

A.>

B.<

C.=

D.≤

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第1题
1mol理想气体在T=300K下,从始态100kPa经历下列各过程达到各自的平衡态,求各过程的Q,ΔS,ΔSlas</sub>.(1)可逆膨胀至末态压力50kPa;(2)反抗恒定外压50kPa不可逆膨胀至平衡态;(3)向真空自由膨胀至原体积的2倍.
1mol理想气体在T=300K下,从始态100kPa经历下列各过程达到各自的平衡态,求各过程的Q,ΔS,ΔSlas</sub>.(1)可逆膨胀至末态压力50kPa;(2)反抗恒定外压50kPa不可逆膨胀至平衡态;(3)向真空自由膨胀至原体积的2倍.

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第2题
一容器内储有氧气,其压强p=1.0atm,温度T=300K,求容器内氧气的(1)分子数密度;(2)分子间的平均距离;(3)分子的平均平动动能;(4)分子的方均根速度。

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第3题
在图LP4-50所示的电流源电路中,已知ΥCC=30Υ,R=30kΩ,T=300K, 试确定R2,并求输出交流电

在图LP4-50所示的电流源电路中,已知ΥCC=30Υ,R=30kΩ,T=300K, 试确定R2,并

求输出交流电阻R0.(补充条件:β=100,|VA|=100VC)

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第4题
一维谐振子(荷电q),受到均匀外电场的作用设它处于基态,在t=0时刻外电场突然撤走。求粒子处于谐

一维谐振子(荷电q),受到均匀外电场的作用

设它处于基态,在t=0时刻外电场突然撤走。求粒子处于谐振子HO的第n激发态的概率P (n)。

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第5题
在本征硅半导体中,掺人浓度为5x1015cm-3的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为1016cm-3的施主杂质,则将为何种类型半导体?若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K,试分析为何种类型半导体.

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第6题
秩和检验中,统计量T与P的关系中,描述正确的是()。

A.T落在界值范围内,P则小于相应概率

B.T落在界值范围内,P则大于相应概率

C.T落在界值范围外,P则大于相应概率

D.T落在界值范围上,P则大于相应概率

E.以上都不对

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第7题
由二极管D和电阻R串联组成如图LP4-74(a)所示电路,若考虑二极管的散弹噪声和电阻热噪声,试求在
由二极管D和电阻R串联组成如图LP4-74(a)所示电路,若考虑二极管的散弹噪声和电阻热噪声,试求在

室温下(T=300K)二极管两端输出的总噪声均方值电压.已知BWn=1kHz,很小,可忽略不计.

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第8题
有两个半径分别为r和R的无限长同轴圆柱面,两圆柱面间充以相对磁导率为μt的均匀磁介质,当两圆柱面通以相反电流I时,试求:(1)磁介质中任意点P的磁感应强度B1的大小;(2)圆柱面外任点Q的磁感应强度B2的大小。
有两个半径分别为r和R的无限长同轴圆柱面,两圆柱面间充以相对磁导率为μt的均匀磁介质,当两圆柱面通以相反电流I时,试求:(1)磁介质中任意点P的磁感应强度B1的大小;(2)圆柱面外任点Q的磁感应强度B2的大小。

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第9题
初始状态为p1=1MPa、T1=300K的2kmolN2绝热膨胀到原容积的2倍.试分别按下列过程计算气体终温、焓变、对外做功量和熵变化量.(1)可逆膨胀.(2)向保持恒外压p2=0.1MPa的气缸膨胀.(3)向真空进行自由膨胀.
初始状态为p1=1MPa、T1=300K的2kmolN2绝热膨胀到原容积的2倍.试分别按下列过程计算气体终温、焓变、对外做功量和熵变化量.(1)可逆膨胀.(2)向保持恒外压p2=0.1MPa的气缸膨胀.(3)向真空进行自由膨胀.

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第10题
在任何T、P条件下,压缩因子Z均为1的气体是().若某真实在某T、P条件下得Z>1,则表示该气体得Vm()同样T、P条件下得理想气体Vm.
在任何T、P条件下,压缩因子Z均为1的气体是().若某真实在某T、P条件下得Z>1,则表示该气体得Vm()同样T、P条件下得理想气体Vm.

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