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[主观题]

共源电路如图题4.11.1示。电路参数为:VDD=20V,Rg1=500千欧,Rg2=20千欧,Rg3=5.1

M,Rd=30千欧,R1=500千欧,R2=10千欧,C1=0.1μF,C2=4.7μF,C=100μF,且外接负载RL=50 kSl。(1 )求静态工作点;(2)设输入信号vi为f=1kHz,幅值Vim=10mV的正弦电压,试观测vi,v0波形;(3)求电压传输特性v0=f(vi)。

共源电路如图题4.11.1示。电路参数为:VDD=20V,Rg1=500千欧,Rg2=20千欧,Rg

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第1题
电路如图题7.2.5所示,电路参数如图所示,已知JFET的IDSS=4mA,VTP=-2V,T1、T2
电路如图题7.2.5所示,电路参数如图所示,已知JFET的IDSS=4mA,VTP=-2V,T1、T2的gm=1.41mS,电流源电路T3的gm3=2mS,电流源的动态电阻RAB=2110千欧。(1)求电路Aed2、Aec2(从d2输出时)和KcCMR2;(2)当vi1=50mV,vi2=10mV时,求v02等于多少? (3)求差模输入电阻Rid,共模输入电阻Ric和输出电阻R02

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第2题
电路如图题4.7.1(主教材图4.7.1)所示。电路参数为RL=5千欧,Rd1=3.3千欧,Rs1=20千欧
电路如图题4.7.1(主教材图4.7.1)所示。电路参数为RL=5千欧,Rd1=3.3千欧,Rs1=20千欧

,Rs2=5千欧,Rg1=500千欧,Rg2=300千欧,IDQ1=IDQ2=1.5mA,VGSQ1=VGSQ2=3V。试求(1)输入和输出电阻;(2)源电压增益Aex

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第3题
电路如图题6.4.5所示,其中VDD=5V,Rsi=2千欧,Rg1=60千欧,Rg2=40千欧,Rd=R≇

电路如图题6.4.5所示,其中VDD=5V,Rsi=2千欧,Rg1=60千欧,Rg2=40千欧,Rd=RL=5.1 千欧,MOS管参数为Kn=0.8mA/V2,VTN=1V,λ=0,Cgn=1pF,Cgd=0.4pF。试求该电路的中频源电压增益ArSM和源电压增益的上限频率fH

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第4题
电路参数如图题5.7.9所示。设FET的参数为gm=0.8mS,rds=200千欧;T2的β=40,rbe=1
千欧。试求该放大电路的电压增益Ae和输入电阻Ri。

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第5题
电路如图题4.7.3(主教材图4.7.3)所示。已知电路参数Rd2=4千欧,VCSQ1= VCSQ2=2.8V。
电路如图题4.7.3(主教材图4.7.3)所示。已知电路参数Rd2=4千欧,VCSQ1= VCSQ2=2.8V。

场效应管参数为Kn1=Kn2=1.2mA/V2,VTN1= VTN2=1.9V,λ12=0。试求该电路的电压增益。

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第6题
射极偏置电路如图题5.4.3所示,已知β=60。(1)用估算法求Q点;(2)求输入电阻rbe;(3)用小信号模
射极偏置电路如图题5.4.3所示,已知β=60。(1)用估算法求Q点;(2)求输入电阻rbe;(3)用小信号模

型分析法求电压增益Av;(4)电路其他参数不变,如果要使VCEQ=4V,问基极上偏流电阻Rb1为多大?

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第7题
已知电路和场效应管的输出特性分别如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)和图题4.3.3b(主教材图题4.3.3
已知电路和场效应管的输出特性分别如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)和图题4.3.3b(主教材图题4.3.3

)所示。电路参数为,Rg1=180千欧,Rg2=60千欧,Rd=10千欧,RL=20千欧,VDD=10V。(1)试用图解法作出直流负载线,决定静态点Q值;(2)作交流负载线;(3)当vi=0.5sinwt(V)时求出相应的v0波形和电压增益。

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第8题
电路如图题4.6.3所示,设场效应管的参数为gm1=1mS,gm2=0.2mS,且满足gm1<rde2
试求ae=v0,p=vi

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第9题
在如图题2-10所示电路中,β=100,其他参数如图所示。(1)求静态工作点IBQ、ICQ、ICEQ。(2
在如图题2-10所示电路中,β=100,其他参数如图所示。(1)求静态工作点IBQ、ICQ、ICEQ。(2

在如图题2-10所示电路中,β=100,其他参数如图所示。

(1)求静态工作点IBQ、ICQ、ICEQ

(2)画出中频微变等效电路。

(3)求电压放大倍数

(4)求输入电阻ri和输出电阻ro

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第10题
在共基放大电路的基极接入电阻RB,其交流通路如图LP4-19(a)所示,试画出交流等效电路,若r
在共基放大电路的基极接入电阻RB,其交流通路如图LP4-19(a)所示,试画出交流等效电路,若r

ce忽略不计,试求输入电阻R1、输出电阻R0、电流增益Af和源电压增益Aυ.表达式.

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