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[判断题]

1500℃以上硅的还原顺序为SiO2→SiO→Si,到达风口时[Si]含量达到最大值。()

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第1题
硅在大于1500℃的高炉内的还原顺序是按SiO2→()→Si逐级进行的。
硅在大于1500℃的高炉内的还原顺序是按SiO2→()→Si逐级进行的。

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第2题
半导体工业生产单质硅的过程中有三个重要反应:(1)二氧化硅被还原为粗硅:SiO2(g)+2C(s)→Si
半导体工业生产单质硅的过程中有三个重要反应:(1)二氧化硅被还原为粗硅:SiO2(g)+2C(s)→Si

半导体工业生产单质硅的过程中有三个重要反应:

(1)二氧化硅被还原为粗硅:SiO2(g)+2C(s)→Si(s)+2CO(g)

(2)硅被氯氧化成四氯化硅:Si(s)+2Cl2(g)→SiCl4(g)

(3)四氯化硅被镁还原生成纯硅:SiCl4(g)+2Mg(s)→2MgCl2(s)+Si(g)

计算上述各反应的(298K)和生产1.00kg纯硅的总反应热.

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第3题
硅还原量与()和SiO2<£¯sub>的活度成正比。
硅还原量与()和SiO2<£¯sub>的活度成正比。

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第4题
根据高炉内硅还原的机理,降低生铁含硅的途径是:首先是降低软熔带位置、缩小熔滴带高度;其次降低风口前燃烧温度,直接减少SiO的发生量;三是应减少入炉的SiO2量,降低炉渣中SiO2的活度。()此题为判断题(对,错)。
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第5题
炼钢过程中,硅与吹入的氧直接氧化反应表达式为()。

A.[Si]+2[0]=(SiO2)

B.[Si]+{O2}=(SiO2)

C.[Si]+2(FeO)=(SiO2)+2[Fe]

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第6题
硅砂的主要成分是()

A.SiO2

B.Si

C.CaO·SiO2

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第7题
试解释下列现象:(1)碳与硅为同族元素,但其氧化物CO2,SiO2性质上相差极大.(2)NaCl与AgC
试解释下列现象:(1)碳与硅为同族元素,但其氧化物CO2,SiO2性质上相差极大.(2)NaCl与AgC

试解释下列现象:

(1)碳与硅为同族元素,但其氧化物CO2,SiO2性质上相差极大.

(2)NaCl与AgCl化合物中阳离子都为+1,但AgCl难溶于水,NaCl易溶于水.

(3)第三周期元素氟化物熔点从SiF4开始突然下降:NaF(980℃),MgF2(1400℃),AlF3(1040℃),SiF4(-77℃),PF5(-83℃),SF6(-55℃).

(4)BeO熔点高于LiF,而FeCl3熔点又低于FeCl2.

(5)HgS,CdS,ZnS颜色差异.

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第8题
硅整流发电机空载转速为()r£¯min

A.750~800

B.850~950

C.1000~1250

D.1500~2000

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第9题
低硅烧结指SiO2<£¯sub>的含量小于()。
低硅烧结指SiO2<£¯sub>的含量小于()。

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第10题
SiO2/R2O3称为____________,它是土壤母质风化程度的指标。

A.元素的质量比

B.元素的重量比

C.硅铝铁率

D.硅铝率

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第11题
降低烧结矿中SiO2<£¯sub>含量,烧结矿的还原性能变差。()
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