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[主观题]
证明是线性谐振子的本征波函数，并求此本征态对应的本征能量，式中A为归一化常数，
证明
是线性谐振子的本征波函数，并求此本征态对应的本征能量，式中A为归一化常数，
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对于角动量算符
(a) 在直角坐标系中，推导各分量之间的对易关系，并归纳出统一的表达式。
(b) 定义升降算符
利用对易关系
证明：若f是L2和Lz的共同本征态，则
也是L2和Lz的本征态。
(c) 在球坐标系中，求解Lz的本征方程。
B、除本征光电导外，光照也能使束缚在杂质能级上的电子或空穴受激电离产生杂质光电导，但杂质光电导与本征光电导相比较是非常小的
C、在实际的半导体材料中，存在有大量的陷阱，光注入的少数载流子基本上全部被陷阱俘获，因此，只有光注入的多数载流子才对光电导有贡献
D、小注入时的光电导为线性光电导
E、大注入时的光电导为抛物线型光电导
F、通常把小注入时的非平衡载流子的寿命称为弛豫时间
G、弛豫时间越长，光电导的灵敏度越高。但弛豫时间越长，对光信号反应越慢。因此，既要灵敏度高，又要反应快，这是矛盾的
有一个二能级体系，Hamilton量记为H0，能级和能量本征态记为E1，
求t＞0时体系处于
态的概率。
设质量为m的粒子处于势场V(x) =-Kx中，K为非零常数。在动量表象中求与能量E对应的本征波
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
A.负责本机构征信用户的变更申请及报备工作
B.负责及时制定并完善本行社征信管理规章制度
C.负责辖内各网点提交的征信查询申请的复核工作
D.负责征信异议的受理、核实工作
E.为在工作中知悉的个人、企业信用信息保密
①在室温下，锗的有效态密度NC=1.05x1019cm-3, NV=5. 7x1018cm-3，试求锗的载流子有效质量mn+，mp+计算77K时的NC和NV。已知300K时，Eg=0. 67eV。77k时Eg=0. 76eV。求这两个温度时锗的本征载流子浓度。②77K时，锗的电子浓度为1017cm-3，假定受主浓度为零，而EC-ED=0. 01eV，求锗中施主浓度ED多少？
