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[主观题]

推晶后，在50~200X显微镜下观察，确保bump()在框架上。

推晶后，在50~200X显微镜下观察，确保bump（)在框架上。

A、0.5

B、1

C、不在

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更多“推晶后，在50~200X显微镜下观察，确保bump()在框架…”相关的问题

第1题

在测量显微镜下，推晶完的芯片，对于每种尺寸的bump,在（)下选择3个锡残留尺寸最小的，在（)及以上的镜头下测量其残留痕迹的最小尺寸。

A.0-45X

B.50-100X

C.200X

D.500X

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第2题

扁平直径作为FCDA的首检检验项目之一，其检验方法为（)

A.100X显微镜下测量

B.100X显微镜下确认，200X测量

C.200X显微镜确认并测量

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第3题

取一滴鱼的血液，滴在洁净的载玻片上，然后另取一块载玻片把血液推成薄膜，置于显微镜下观察，这种玻片标本属于（）

A.切片

B.涂片

C.装片

D.磨片

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第4题

FC产品虚焊的检验方法有（)。

A.推晶后高倍显微镜确认

B.透视

C.切片

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第5题

FC线都有那些检验设备（)。

A.三光机

B.推晶机

C.高倍显微镜

D.透视机

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第6题

以下设备有三色信号灯的是（)。

A.上芯机

B.推晶机

C.显微镜

D.移栽机

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第7题

空洞监控测量的仪器是（)

A.测量显微镜

B.推晶机

C.x-ray透视机

D.上芯机

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第8题

bump位置监控的仪器是（)

A.测量显微镜

B.推晶机

C.x-ray透视机

D.上芯机

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第9题

通常,在显微镜下观察的显微标本都是用切片方法制成的。（)

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第10题

在大于200倍的显微镜下观察，芯片背面出现顶针的痕迹为不良。（)

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