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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

晶体三极管有（)PN结构成。

A.1

B.2

C.3

D.4

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第1题

当晶体三极管的二个PN结都反偏时，则晶体三极管处于（）。

A.饱和状态

B.截止状态

C.放大状态

D.不饱和状态

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第2题

当晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体管处于（）状态。

A.饱和

B.放大

C.导通

D.截止

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第3题

晶体二极管同晶体三极管一样都具有两个PN结。（）

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第4题

用万用表R×100的欧姆档测量一只晶体三极管各极间正、反向电阻，若都呈现出最小的阻值，则这只晶体管（)。

A.两个PN结者被击穿

B.只是发射结被击穿

C.只是发射结被烧断

D.只是集电结被击穿

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第5题

二极管由一种PN结、两个引脚、封装构成。（)

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第6题

二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示),其他的两个电极成为集电极（用字母c表示)和发射极（用字母表示)。（)

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第7题

半导体色敏器件是一个双结光电二极管，由两个()不同的PN结构成。

半导体色敏器件是一个双结光电二极管，由两个（)不同的PN结构成。

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第8题

半导体PN结是构成各种导体器件的工作基础，其主要特性是（）。

A.具有放大特性

B.具有改变电压特性

C.具有单向导电性

D.具有增强内电场性

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第9题

晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。（)

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第10题

‏在MOS管电容的组成部分中，结电容是由底板pn结和侧壁pn结构成的，其中，底板pn结的表达式为每单位面积结电容乘以面积，即Cj×LsW;侧壁pn结为每单位周长电容乘以周长，即Cjsw×(2Ls+2W)。()此题为判断题(对，错)。

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