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[主观题]

一非线性器件的伏安特性为式中,试写出电流i中组合频率分量的频率通式,说明它们是各由i中的哪些

一非线性器件的伏安特性为一非线性器件的伏安特性为式中,试写出电流i中组合频率分量的频率通式,说明它们是各由i中的哪些一非线性式中一非线性器件的伏安特性为式中,试写出电流i中组合频率分量的频率通式,说明它们是各由i中的哪些一非线性,试写出电流i中组合频率分量的频率通式,说明它们是各由i中的哪些次方项产生的,并求出其中的一非线性器件的伏安特性为式中,试写出电流i中组合频率分量的频率通式,说明它们是各由i中的哪些一非线性频率分量的振幅。

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第1题
一非线性器件的伏安特性为式中,若V2m很小,满足线性时变条件,则在VQ=-V1m/2、 0、V

一非线性器件的伏安特性为一非线性器件的伏安特性为式中,若V2m很小,满足线性时变条件,则在VQ=-V1m/2、 0、V一非线式中一非线性器件的伏安特性为式中,若V2m很小,满足线性时变条件,则在VQ=-V1m/2、 0、V一非线,若V2m很小,满足线性时变条件,则在VQ=-V1m/2、 0、V1m三种情况下,画出g(v1)波形,并求出时变增量电导的表示式,分析该器件在哪种情况下能实现调制、解调和混频等频谱搬移功能。

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第2题
设非线性器件的伏安特性为,其中 ,两个干扰信号,其频率十分接近于有用信号vS的频率,若设,

设非线性器件的伏安特性为设非线性器件的伏安特性为,其中 ,两个干扰信号,其频率十分接近于有用信号vS的频率,若设,设非线性器,其中 ,设非线性器件的伏安特性为,其中 ,两个干扰信号,其频率十分接近于有用信号vS的频率,若设,设非线性器设非线性器件的伏安特性为,其中 ,两个干扰信号,其频率十分接近于有用信号vS的频率,若设,设非线性器两个干扰信号,其频率十分接近于有用信号vS的频率,若设设非线性器件的伏安特性为,其中 ,两个干扰信号,其频率十分接近于有用信号vS的频率,若设,设非线性器,试求三阶互调失真截点所对应的输入干扰信号功率。

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第3题
设非线性器件的伏安特性为,其中为两个于扰信号,其频率十分接近于有用信号vs的频率,若设V

设非线性器件的伏安特性为设非线性器件的伏安特性为,其中为两个于扰信号,其频率十分接近于有用信号vs的频率,若设V设非线性器件,其中设非线性器件的伏安特性为,其中为两个于扰信号,其频率十分接近于有用信号vs的频率,若设V设非线性器件为两个于扰信号,其频率十分接近于有用信号vs的频率,若设VMm1=VMm2=VMm=Vsm,试求三阶互调失真截点所对应的输入干扰信号功率。

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第4题
如图所示电路中,R=2Ω,直流电压源Us=9V,非线性电阻的伏安特性,若us(t)=costV,试求电流i。

如图所示电路中,R=2Ω,直流电压源Us=9V,非线性电阻的伏安特性如图所示电路中,R=2Ω,直流电压源Us=9V,非线性电阻的伏安特性,若us(t)=costV,试求,若us(t)=costV,试求电流i。

如图所示电路中,R=2Ω,直流电压源Us=9V,非线性电阻的伏安特性,若us(t)=costV,试求

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第5题
某非线性器件的伏安特性为i=a1u+a3u3。试问该器件能否实现相乘作用?为什么?

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第6题
某非线性器件的伏安特性为i=a1v+a3v3。该器件能否实现频率变换作用,能否用作混频器()。

A.能,能

B.能,不能

C.不能,不能

D.不能,能

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第7题
功率二极管是二端(阴极和阳极)器件,其器件电流由伏安特性决定,除了改变加在二端间的电压外,无法控制其阳极电流,故称不可控器件()
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第8题
以下选项中,伏安特性遵循欧姆定律的是()

A.非线性电阻元件

B.线性电阻元件

C.非线性和线性电阻元件都遵循

D.非线性和线性电阻元件都不遵循

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第9题
某低通滤波器具有非线性相移特性,而幅频响应为理想特性.若H(jw)表示式为,其中H1(jw)为理
某低通滤波器具有非线性相移特性,而幅频响应为理想特性.若H(jw)表示式为,其中H1(jw)为理

某低通滤波器具有非线性相移特性,而幅频响应为理想特性.若H(jw)表示式为某低通滤波器具有非线性相移特性,而幅频响应为理想特性.若H(jw)表示式为,其中H1(jw)为理某低,其中H1(jw)为理想低通传输特性(见上题),某低通滤波器具有非线性相移特性,而幅频响应为理想特性.若H(jw)表示式为,其中H1(jw)为理某低,并可展开为

某低通滤波器具有非线性相移特性,而幅频响应为理想特性.若H(jw)表示式为,其中H1(jw)为理某低

试求此系统的冲激响应,并与理想低通滤波器之冲激响应相比较.

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第10题
()表示当光电管的阳极电压一定时,阳极电流与入射在阴极上的光通量之间的关系。

A.伏安特性

B.光谱特性

C.光电特性

D.光学特性

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