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第2题
PN结正偏时()，呈现()的电阻，形成较大的正向电流;反偏时截止，呈现很大的电阻，反向电流近似为零。即PN结正偏导通、反偏截止，因此PN结具有()。
PN结正偏时（)，呈现（)的电阻，形成较大的正向电流;反偏时截止，呈现很大的电阻，反向电流近似为零。即PN结正偏导通、反偏截止，因此PN结具有（)。
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第3题
下列关于PN结整流效应的说法中，错误的是（)。
A.能够将交流电转变成直流电
B.只允许电流从一个方向流过
C.低频整流特性较差
D.高频时，PN结反向阻抗大大降低的原因是由于PN结电容的旁路作用
第9题
关于多晶硅和非晶硅电池，以下说法错误的是（)
A.在扩散运动中，只有注入的少子存在很大的浓度梯度，因此扩散电流主要是由少子贡献。
B.非晶硅对可见光谱的吸收很强，是晶硅的500倍，整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍，因此非晶硅电池可做的很薄。
C.多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的，因此它们的基本结构是相同的。
D.与晶体硅电池相比，非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应)，但其光电转化效率随温度升高下降较慢。
第10题
如果没有光照射或pn结注入等外界影响，温度又保持稳定，半导体中将在产生和复合的基础上形成()。
如果没有光照射或pn结注入等外界影响，温度又保持稳定，半导体中将在产生和复合的基础上形成（)。
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