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习题9-31图所示电路中,已知IS=10A,ω=1000rad/s,R1=10Ω,jωL1=j25Ω,R2=5Ω,。求各支路吸收的复功率和电路的功率

习题9-31图所示电路中,已知IS=10A,ω=1000rad/s,R1=10Ω,jωL1=j25Ω,R2=5Ω,习题9-31图所示电路中,已知IS=10A,ω=1000rad/s,R1=10Ω,jωL1=j25Ω。求各支路吸收的复功率和电路的功率因数。

习题9-31图所示电路中,已知IS=10A,ω=1000rad/s,R1=10Ω,jωL1=j25Ω

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第1题
习题8-16图所示电路中,直流电压源的电压为24V,且电路已达稳态,t=0时合上开关,求:(1)电感电流iL;(2)直流电压

习题8-16图所示电路中,直流电压源的电压为24V,且电路已达稳态,t=0时合上开关,求:(1)电感电流iL;(2)直流电压源发出的功率。

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第2题
图NP6-8所示是采用简单RC滤波器的锁相环路。已知滤波器的时间常数为τ=(1/10π)s,AoAd=5π
图NP6-8所示是采用简单RC滤波器的锁相环路。已知滤波器的时间常数为τ=(1/10π)s,AoAd=5π

s-1,试求环路宽带ωH,现将该锁相环路改为锁相二倍频电路,即在反馈支路中插入二分频器。假设Ao、τ不变,试问要保证环路带宽不变,Ad应如何变化?

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第3题
在图3-23所示的电路中,已知试求I3

在图3-23所示的电路中,已知试求I3

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第4题
在图7.9.7所示的分压式自偏共源放大电路中,RG=1MΩ,RG1=40kΩ,RG2=10Ω,RD=RS=2
.5Ω,RL=10kΩ,UDD=20V,各电容的容抗均可忽略,已知场效应管的夹断电压Up=2V,饱和漏极电流IDSS=8mA。

(1) 求静态工作点和跨导;

(2) 画出微变等效电路,计算电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

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第5题
在图3.17所示电路中,已知R=2Ω,Z1=-j10Ω,Z2=(40+j30)Q,

在图3.17所示电路中,已知R=2Ω,Z1=-j10Ω,Z2=(40+j30)Q,

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第6题
已知图P2.21(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)、(c)所示.(1)利用图解法求

已知图P2.21(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)、(c)所示.

(1)利用图解法求解Q点;

(2)利用等效电路法求解Au、Ri和R0.

图P2.21

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第7题
在图LT6-15所示电路中,已知VIO≈3mV,IIO=20x10-9A,运放其余参数为理想值,试求Δυ≇

在图LT6-15所示电路中,已知VIO≈3mV,IIO=20x10-9A,运放其余参数为理想值,试求Δυ0值.

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第8题
在图3.18所示电路中,已知R=Xc,U=220V总电压 与总电流 相位相同。求

在图3.18所示电路中,已知R=Xc,U=220V总电压与总电流相位相同。

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第9题
在图LP4-3所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7 V,ICBO=10-15A,试求温
在图LP4-3所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7 V,ICBO=10-15A,试求温

度升高40℃时的ICQ与VCEQ值。

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第10题
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

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第11题
图1-8(a)所示电路中已知C点电位Vc=36V,Is1=7A,Is2=4A,R3=14Ω,R4=8Ω,R5=12
图1-8(a)所示电路中已知C点电位Vc=36V,Is1=7A,Is2=4A,R3=14Ω,R4=8Ω,R5=12

Ω。用基尔霍夫定律求电流I1

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