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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是哪一个（)

A.SR

B.GTO

C.GTR

D.P-MOSFET

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第1题

MOS半导体存储器中，()的外围电路简单，速度()，但其使用的器件多，集成度不高。

MOS半导体存储器中，（)的外围电路简单，速度（)，但其使用的器件多，集成度不高。

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第2题

空气湿度过高对计算机造成的危害体现在（)。

A.使线路间的绝缘度降低，容易漏电

B.容易产生腐蚀，导致电路工作不可靠

C.容易产生静电积累，容易损坏半导体芯片和使存储器件中的数据丢失

D.计算机运行程序的速度明显变慢

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第3题

PWM技术是通过控制半导体开关器件的通断时间，在输出端获得PWM波形，从而实现控制输出电压的大小和频率来改善输出波形的一种技术。（)

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第4题

半导体器件中MOSFET的中文名称为()。

半导体器件中MOSFET的中文名称为（)。

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第5题

下列选项中读写速度最快的是（)。

A.内存

B.硬盘

C.高速缓存

D.优盘

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第6题

在下列存储器中，存取速度最快的是（)

A.光盘

B.内存

C.软盘

D.硬盘

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第7题

目前下列存储器中，____________存取数据的速度最快。

A.RAM

B.Cache

C.硬盘

D.高密软盘

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第8题

下列存储介质中，存取速度最快的是（).

A.高速缓存

B.CPU内部寄存器

C.内存

D.外部存储器

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第9题

下列各化合物中水解速度最快的是（)。

A.乙酰氯

B.乙酰胺

C.乙酸乙酯

D.乙酸酐

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第10题

相同条件下，下列促进剂中（)硫化速度最快

A.ZDC

B.CZ

C.DM

D.TMTD

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第11题

下列哪些技术的发展促进了红外焦平面成像器件的诞生？（)‎

A.硅集成技术

B.半导体精密光刻技术

C.先进的薄膜材料生长技术

D.制冷技术

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