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试用4片1kX4位的RAM组成4kx4位的存储器,并标明每片的地址段。

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第1题
一个1024X16位的RAM芯片,其地址线为()位,数据线为()位.

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第2题
AT89S52单片机的位寻址区位于内部RAM的()单元。

A.00H~7FH

B.20H~2FH

C.00H~1FH

D.20H~7FH

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第3题
试用中间体的相对稳定性解释:呋喃的亲电取代主要发生在α-位。

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第4题
内部RAM(00~1F)H单元用做源操作数可以有如下寻址方式()。

A.寄存器寻址

B.寄存器间接寻址

C.直接寻址

D.位寻址

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第5题
51系列单片机的寻址方式中,位寻址的寻址空间是()。

A.工作寄存器R0~R7

B.专用寄存器SFR

C.程序存储器ROM

D.片内RAM的20H~2FH字节中的所有位和地址可被8整除的SFR的有效位

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第6题
一个RAM芯片的结构示意图如图7.1所示.试问:(1)该RAM芯片有多少个存储单元?每次能访间多少个存

一个RAM芯片的结构示意图如图7.1所示.试问:

(1)该RAM芯片有多少个存储单元?每次能访间多少个存储单元?

(2)该RAM有多少个字?每个字有多少位?

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第7题
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[Ni(CO)4]和[Ni(CN)4]2-都是抗磁性的,两者在结构上是否相同?试用配位化合物的价键理论给予说明。

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第8题
编写双字节加法程序。要求:被加数放在内部RAM的30H(高字节)、31H(低字节)单元中,加数存放在内部RAM的32H(高字节)和33H(低字节)中,运算结果放存放在30H,31H中,进位存放在位寻址区的00H位。

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第9题
试用8 位二进制补码表示下列十进制数:(1)+11 (2)+68 (3)-24 (4)-90
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第10题
硅胶千燥剂中常加入CoCl2(蓝色),吸水后变为粉红色,试用配位场理论解释其原因。
硅胶千燥剂中常加入CoCl2(蓝色),吸水后变为粉红色,试用配位场理论解释其原因。

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