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更多“要构成容量为4K×8的RAM，需要多少片容量为256×4的R…”相关的问题
第2题
在以8088CPU构成的系统中，设计一容量为8Kx8b的RAM，起始地址空间(无地址重叠)为8000H，提供的芯
在以8088CPU构成的系统中，设计一容量为8Kx8b的RAM，起始地址空间（无地址重叠)为8000H，提供的芯
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片为：74LS138、SRAM6264，请完成下列两个任务：
(1)简要说明设计工作原理。
(2)补全下图中全译码片选法的电路，可适当添加所需电路或芯片。
第3题
设CPU共有16根地址线，8根数据线，并用MREQ作访存控制信号(低电平有效)，用WR作读写控制信号(高
设CPU共有16根地址线，8根数据线，并用MREQ作访存控制信号（低电平有效)，用WR作读写控制信号（高
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电平为读，低电平为写)。现有下列存储芯片：1K×4位RAM，4K×8位RAM，2K×8位ROM，以及74138译码器和各种门电路，如图所示。画出CPU与存储器连接图，要求：1.主存地址空间分配：8000H～87FFH为系统程序区;8800H～8BFFH为用户程序区。
2.合理选用上述存储芯片，说明各选几片？
3.详细画出存储芯片的片选逻辑。
第4题
1.用8K*8的RAM存储器芯片，构成32K*8的存储器，存储器的起始地址为18000H,要求各存储器芯片的地址连续，用74LS138作译码器，系统中只用到了地址总线的A18~A0,采用部分译码法设计译码器电路。试画出硬件连线图，并列表说明每块芯片的地址范围。
第5题
已知一感性负载R=6Ω，XL=8Ω，接入额定容量为10kV·A，额定电压为220V的工频交流电源。(1)求该电路还可以接入多少盏220V，100W的白炽灯;(2)现为提高功率因数，在感性负载两端并联一个容量为100μF的电容器，求并联电容后的功率因数以及并联电容后可以接入多少盏220V，100W的白炽灯。
已知一感性负载R=6Ω，XL=8Ω，接入额定容量为10kV·A，额定电压为220V的工频交流电源。（1)求该电路还可以接入多少盏220V，100W的白炽灯;（2)现为提高功率因数，在感性负载两端并联一个容量为100μF的电容器，求并联电容后的功率因数以及并联电容后可以接入多少盏220V，100W的白炽灯。
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第7题
51系列单片机的寻址方式中，位寻址的寻址空间是（)。
A.工作寄存器R0~R7
B.专用寄存器SFR
C.程序存储器ROM
D.片内RAM的20H~2FH字节中的所有位和地址可被8整除的SFR的有效位
