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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

PN结正偏时，电流随外加电压增大而（)

A.增大

B.减小

C.几乎不变

D.都不是

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第1题

三极管工作于饱和状态时，其外加偏置电压为发射结正偏，集成结正偏。（)

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第2题

PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。（)

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第3题

集成温度传感器的测温原理是基于晶体管的PN结随（)变化而产生漂移现象研制的。

A.温度

B.电压

C.压力

D.湿度

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第4题

当工作在恒流区时，N沟道结型场效应管栅极电位（)源极电位，PN结（)。

A.大于，正偏

B.小于，反偏

C.等于，零偏压

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第5题

锗pn结的正向导通电压大约为（)V。

A.0.1

B.0.3

C.0.5

D.0.7

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第6题

pn结实际电流电压特性偏离理想值的原因不包括（)。

A.体电阻上压降

B.势垒区的产生与复合

C.大注入条件

D.pn结反向击穿

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第7题

击穿电压小于4v的属于齐纳击穿，击穿电压高于6v的属于（)。

A.雪崩击穿

B.电压击穿

C.电流击穿

D.PN结击穿

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第8题

变压器带感性负载,随负载电流的增大,电压是下降的,带容性负载,随负载电流增大,电压一定是上升的（)。

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第9题

绝缘物在外加电压的作用下，由于泄漏电流而使温度过分升高，导致绝缘下降而造成的击穿称为()。

绝缘物在外加电压的作用下，由于泄漏电流而使温度过分升高，导致绝缘下降而造成的击穿称为（)。

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第10题

若给PN结两端加反向电压时，空间电荷区将（）。

A.变窄

B.基本不变

C.变宽

D.无法确定

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第11题

下列关于PN结整流效应的说法中，错误的是（)。

A.能够将交流电转变成直流电

B.只允许电流从一个方向流过

C.低频整流特性较差

D.高频时，PN结反向阻抗大大降低的原因是由于PN结电容的旁路作用

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