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题目内容 (请给出正确答案)
[多选题]

关于RAMAN放大器描述正确的是()。

A.RAMAN放大器借助于光纤SRS效应实现放大,提升效应幅度的途径是提高入纤功率;

B.RAMAN放大器放大介质为线路光纤,放大特性为分布式放大,有效距离为30-50km;

C.RAMAN放大器可以达到使系统信噪比相对改善3~5dB.

D.RAMAN配置在紧邻线路光纤的位置,其前面可以插入光衰耗控制板.

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第1题
信噪比是DWDM系统受限的一个重要因素,而噪声的根源是在于系统中大量应用以下哪种单板?()

A.光转发板

B.合/分波板

C.Raman放大板

D.EDFA放大板

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第2题
关于塔顶放大器,以下()叙述是正确的。

A.改善网络的通话质量,减少误码率.掉话率

B.能够提高BTS的接收灵敏度,扩大覆盖范围

C.降低手机发射功率,减少对人体辐射

D.降低长距离馈线引入的噪声及干扰

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第3题
插入损耗是光通信中的主要指标之一,下列描述错误的是:()

A.插入损耗的单位是dbm

B.插入损耗是疏状滤波器重要指标之一

C.合波/分波器各通道插入损耗的差异越小越好

D.DCM常常放在两级放大器的中间,后级放大器主要是来补偿DCM插入损耗

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第4题
在下列关于负反馈的说法中,不正确的说法是()。

A.负反馈一定使放大器的放大倍数降低

B.负反馈一定使放大器的输出电阻减小

C.负反馈可减小放大器的非线性失真

D.负反馈可对放大器的输入、输出电阻产生影响

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第5题
在下述关于射极输出器特点的论述中,()是错误的。

A.射极输出器带负载能力较强

B.射极输出器的输入电阻较大

C.射极输出器输入动态范围较小

D.以CE放大器作基本放大器,则射极输出器是负反馈放大器

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第6题
下列选项中,关于差压变送器的结构叙述错误的是()。

A.测量部分,传输部分,位移检测部分,电磁反馈机构

B.测量部分,机械力转换部分,电子放大器,电磁反馈机构

C.测量部分,传输部分,位移检测器和电子放大器,电磁反馈机构

D.测量部分,机械力转换部分,位移检测器和电子放大器,电磁反馈机构

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第7题
关于MDADM描述正确的是

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第8题
提高信噪比余量的方法,正确的是()。
A.采用低噪声前置光放大器+高增益功率光放大器

B.采用拉曼放大器,使之与EDFA配合使用,降低NF

C.采用前向纠错技术-FEC or EFEC or AFEC

D.使用特殊码型技术

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第9题
DDZ£­Ⅲ型差压变送器中位移检测放大器的振荡条件是()条件和()条件。
DDZ£­Ⅲ型差压变送器中位移检测放大器的振荡条件是()条件和()条件。

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第10题
下列关于半导体应变片的说法错误的是()。

A.半导体材料的压阻效应是指当半导体材料某一轴向受外力作用时,其电阻率P发生变化的现象

B.半导体应变片的灵敏系数极大,因而输出也大,可以不需要放大器直接与记录仪器连接

C.半导体应变片的优点是电阻值和灵敏系数的温度稳定性很好

D.半导体应变片按照特性分类,可分为灵敏系数补偿型应变片和非线性补偿应变片

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第11题
LC正弦波振荡器实际上是正反馈的选频放大器,它由晶体管放大器、()、()三部分组成。
LC正弦波振荡器实际上是正反馈的选频放大器,它由晶体管放大器、()、()三部分组成。

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