题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
假设一反相器和两输入与非门中的器件PMOS与NMOS的尺寸比为2,最小尺寸的对称反相器的输入电容
等于最小尺寸NMOS管栅电容的3倍。若该NAND门的等效电阻等于该反相器的电阻,那么它的逻辑努力(logical effort)为()。
A.5/3
B.2/3
C.1
D.4/3
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A.5/3
B.2/3
C.1
D.4/3
计算图P2.4所示电路中的反相器GM能驱动多少同样的反相器.要求GM输出的高、低电平符合UOH≥3.2V,UOL≤0.25V.已知所有的反相器均为74LS系列TTL电路,输入电流IIL=0.4mA,IIH=20μA,IOL(max)=-8mA,IOH(max)=0.4mA.
已知所有的反相器均为74LS系列TIL电路,输入电流IIL=0.4mA,
IH=20μA,IOL(max)=8mA,IOH(max)=0.4mA.
有两组TTL与非门器件,分别测得它们的技术参数如下:
试分别求出它们的噪声容限,并判断哪组门电路的抗干扰能力强。
A.“一横一纵”
B.“一横两纵”
C.“两横一纵”
D.“两横两纵”
面试题:和为s的两个数字VS和为s的连续正数序列
题目一:输入一个递增排序的数组和一个数字s,在数组中查找两个数,使得它们的和正好是s。如果有多对数字的和等于s,输出任意一对即可。
题目二:输入一下正数s,打印出所有和为s的连续正数序列(至少含有两个数)。例如输入15,由于1+2+3+4+5=4+5+6=7+8=15,所以结果打印出3个连续序列1~5、4~6和7~8。