题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
以下措施中,不能提高晶体管截止频率的一项是()。
A.采用离子注入工艺降低晶体管的基区宽带Wb
B.降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子
C.减小发射结和集电结面积以减小电容
D.适当降低集电区电阻率和厚度
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A.采用离子注入工艺降低晶体管的基区宽带Wb
B.降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子
C.减小发射结和集电结面积以减小电容
D.适当降低集电区电阻率和厚度
A、τe、τb、τd
B、τe、τb、τc
C、τe、τd、τc
D、τe、τb、τd、τc
A.截止频率为电流放大系数下降了低频值的后的频率
B.截止频率为电流放大系数下降到低频值的时的频率
C.截止频率为电流放大系数下降到低频值的时的频率
D.截止频率为电流放大系数下降到3dB时的频率
以下措施不能提高商业银行经营流动性和安全性的是()。
A.存贷款期限结构匹配
B.提高存货周转速度
C.提高应收账款的周转速度
D.提高二级市场股票的换手频率
A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂,禁带宽度变窄,增大
B.发射区重掺杂导致电子浓度升高,增大,发射效率提高
C.俄歇复合增强,空穴寿命减小,扩散长度减小,增大
D.考虑发射效率公式,放大系数减小