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[多选题]

肖特基势垒探测器的特点()。

A.热激发产生信号,多数载流子形成信号电流

B.均匀性强,可制成大面阵

C.热激发产生信号,所以噪声大,信噪比低

D.均匀性差,不适于制作成大面阵

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第1题
常见的光生伏特效应有?()

A.PN结光生伏特效应

B.体内光生伏特效应(丹倍效应)

C.光磁电效应

D.肖特基势垒光生伏特效应

E.电磁光效应

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第2题
热载流子效应引起的影响不包括()。

A.碰撞电离产生衬底电流而使衬底电势起伏

B.热电子跨越Si-SiO2势垒,被注入栅介质

C.漏极电流增大而形成雪崩击穿

D.发射出光子,形成光发射电流

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第3题
pn结加负偏压时,是以势垒电容为主。()
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第4题
不考虑界面态时,对于反型异质pn结的能带结构描述正确的是?()

A.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用,而△Ev则对n区空穴向p区运动没有明显的影响

B.△Ec对n区电子向p区的运动起势垒作用,而△Ev则对p区空穴向n区运动没有明显的影响

C.△Ec对p区电子向n区的运动没有明显的影响,而△Ev对n区空穴向p区运动起势垒作用

D.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用,△Ev对n区空穴向p区运动也起势垒作用

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第5题
下列探测器中属于半导体探测器有()。

A.金硅面垒

B.平面硅(PIPS)

C.高纯锗

D.锂玻璃

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第6题
pn结实际电流电压特性偏离理想值的原因不包括()。

A.体电阻上压降

B.势垒区的产生与复合

C.大注入条件

D.pn结反向击穿

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第7题
一般说来,当势垒区较宽时,即杂质浓度或杂质浓度梯度较小时,容易发生齐纳击穿。反之,则容易发生雪崩击穿。()
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第8题
下列选项中,不属于对PN结空间电荷区放电的是()。

A.在PN结上的正向电压减小

B.在PN结上的反向电压增加

C.使空间电荷区势垒宽度增加

D.使载流子从半导体流入空间电荷区

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第9题
下列关于PN结隧道击穿的说法中,错误的是()。

A.势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿

B.隧道击穿也称齐纳击穿

C.隧道击穿发生在重掺杂PN结中

D.隧道击穿的击穿电压温度系数为负

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第10题
闪烁探测器是利用闪烁体()后退激时会发出荧光,光敏器件将光信号变为电脉冲实现对辐射粒子的特侧。

A.原子或分子激发

B.原子或分子分离

C.原子或分子碰撞

D.原子或分子电离

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