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根据结构不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管（）

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第1题

结型场效应管可分为（)。

A.MOS管和MNS管

B.N沟道和P沟道

C.增强型和耗尽型

D.NPN型和PNP型

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第2题

结型场效应管的文字符号为（)。

A.S

B.D

C.V

D.A

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第3题

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为（)场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。

A.P沟道增强型MOS型

B.P沟道耗尽型MOS型

C.N沟道增强型MOS型

D.N沟道耗尽型MOS型

E.N沟道结型

F.P沟道结型

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第4题

某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第5题

当工作在恒流区时，N沟道结型场效应管栅极电位（)源极电位，PN结（)。

A.大于，正偏

B.小于，反偏

C.等于，零偏压

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第6题

电路如题图E6-29所示，结型场效应管JFET的I_DSS=2mA，Ucs=-2V。 (1)求静态电流I_DQ和静态

电路如题图E6-29所示，结型场效应管JFET的I_DSS=2mA，Ucs=-2V。（1)求静态电流I_DQ和静态

电路如题图E6-29所示，结型场效应管JFET的I_DSS=2mA，Ucs=-2V。

(1)求静态电流I_DQ和静态偏压U_CSQ;

(2)画出等效交流电路，并求出r_i，r₀和Au。

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第7题

场效应管从结构上分成___和___两大类型，它属于___控制型器件。

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第8题

以下选项中，（)属于不控型器件。

A.晶闸管

B.三极管

C.二极管

D.场效应管

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第9题

光电耦合电路的核心是光电耦合器其结构由（)和光敏三极管构成。

A.二极管

B.发光二极管

C.三极管

D.场效应管

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第10题

场效应管属于___型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是___型器件。

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第11题

在图LPS3-6所示电路中,场效应管型号为M2N6758,试求电压V₁、V₂和电流I_D值.

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