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第4题
在什么条件下，金属和半导体接触形成电子阻挡层？（)
A.金属和n型半导体接触，Wm＞Ws
B.金属和n型半导体接触，Wm＜Ws
C.金属和p型半导体接触，Wm＞Ws
D.金属和p型半导体接触，Wm＜Ws
第5题
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体
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B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
第6题
下列描述中哪一条不正确（)。
A.金属材料电子浓度很高，RH很大，UH很小
B.任何材料在一定条件下都能产生霍尔电势，但不是都可以制造霍尔元件
C.半导体电子迁移率一般大于空穴的迁移率，所以霍尔元件多采用N型半导体(多电子)
D.厚度d越小，霍尔灵敏度越大，所以霍尔元件做的较薄，通常近似1微米
