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[多选题]
半导体中的光吸收，根据能带结构的特征，可以分为以下哪几类？（)
A.带间吸收
B.带内吸收
C.能带与局部能级间的吸收
D.局部能级间的吸收
E.较高能量带间跃迁吸收
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A.硅是间接带隙半导体
B.禁带宽度具有负的温度系数
C.室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV
D.位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负
A.此时异质结界面两边的状态完全由界面态电荷决定，与功函数等没有关系
B.对于 n 型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层
C.对于 p 型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层
D.对于n型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层
E.对于p 型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层
A.半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带;绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带
B.半导体是：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带;绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带
C.半导体是：上面是一个半满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带;绝缘体是：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带
D.半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带;绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
的材料的不同，晶体管一般可分为______和______。根据结构的不同，晶体管又分为______和______。
