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第5题
如果计入表面态的影响，当表面态为施主态，且态密度足够大时，关于异质结能带结构的描述，正确的是？（)
A.此时异质结界面两边的状态完全由界面态电荷决定，与功函数等没有关系
B.对于 n 型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层
C.对于 p 型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层
D.对于n型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层
E.对于p 型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层
第9题
不考虑界面态时，对于反型异质pn结的能带结构描述正确的是？（)
A.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用，而△Ev则对n区空穴向p区运动没有明显的影响
B.△Ec对n区电子向p区的运动起势垒作用，而△Ev则对p区空穴向n区运动没有明显的影响
C.△Ec对p区电子向n区的运动没有明显的影响，而△Ev对n区空穴向p区运动起势垒作用
D.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用，△Ev对n区空穴向p区运动也起势垒作用
