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第1题
假设一反相器和两输入与非门中的器件PMOS与NMOS的尺寸比为2，最小尺寸的对称反相器的输入电容
等于最小尺寸NMOS管栅电容的3倍。若该NAND门的等效电阻等于该反相器的电阻，那么它的逻辑努力(logical effort)为()。
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A.5/3
B.2/3
C.1
D.4/3
第6题
关于串并阻抗等效互换，错误的说法是（）。
A.电抗由串联转换成并联，电抗性质不变
B.电阻由并联转成串联，电阻变大
C.电抗由串联转换成并联，当Q值较高时，电抗大小基本不变
D.并联电路中的电阻越小，分流越大，损耗越大
