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更多“（)试验可消除试剂、纯水及器皿引入杂质或待测组分而造成的系统…”相关的问题
A.原料不纯或未反应完全的原料造成
B.合成过程中产生的中间体或副产物未完全分离
C.制备过程中加入的溶剂残留造成
D.所用金属器皿及装置等引入杂质
E.长期接触外界条件如光照等引起药物降解造成
A.杂质限量指药物中所含杂质的最小允许量
B.杂质限量通常用百万分之几或百分之几表示
C.杂质的来源主要是由生产过程中引入的，其他方面可不考虑
D.检查杂质，不需要标准溶液进行比对
A.JIT使企业生产对供应商的依赖性降低
B.JIT要求企业为防止发生配送延迟的情况储备大量的材料和部件
C.JIT的缺点之一是不能消除客户排队的现象
D.JIT可用于服务型企业和制造型企业
A.不再进行杂质检查
B.杂质检查主要是检查制剂生产、贮存过程中引入或产生的杂质
C.杂质检查项目应与原料药的检查项目相同
D.杂质检查项目应与辅料的检查项目相同
B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用
A.使薄膜的介电常数变大
B.可能引入杂质
C.可能使薄膜层间短路
D.使薄膜介电常数变小
E.可能使薄膜厚度增加
