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三极管发射极电流主要由发射区电子电流产生。()

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第1题
三极管的击穿电流ICEO是()。

A.基极开路时的集电极电流

B.发射极开路时的集电极电流

C.基极短路时的集电极电流

D.发射极短路时的集电极电流

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第2题
当把三极管接入电路中时,()电流的微小变化,将引起集电极电流及发射极电流较大的变化。

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第3题
三极管的输出特性是指当晶体管集电极与发射极电压为某一定值时,加在晶体管基极与发射极间的电压与电流之间的关系。()
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第4题
三极管的主要参数有()。
三极管的主要参数有()。

A . 反向饱和电流

B . 穿透电流

C . 集电极最大允许电流

D . 集电极-发射极击穿电压

E . 集电极最大允许耗散功率

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第5题
三极管的反向饱和电流Icb0是指发射极e开路时()极之间的反向电流。

A.e和b

B.e和c

C.c和b

D.b和f

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第6题
对于原电池的基本原理叙述错误的是()

A.原电池主要是利用两极的电势差,使电子偏向一方,从而产生电流

B.原电池的电极由两极材料决定,两者相比容易失去电子的一极为负极

C.活泼的一极为负极,另一极则为正极

D.不一定活泼的一极为负极,另一极则为正极,铜铝在浓硝酸中,铜是负极

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第7题
电流互感器的比差主要由铁芯的材料和结构来决定。()
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第8题
外加电流阴极保护系统主要由()等组成。

A.直流电源

B.辅助阳极

C.被保护体

D.附属设施

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第9题
晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。()
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第10题
CPU的供电主要由电源控制芯片控制场效应管,以得到符合要求的电压和电流供CPU使用。()
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第11题
静止的电荷产生()。

A.电流

B.静电

C.电荷

D.电子

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