题目内容
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[单选题]
在N型半导体中掺入微量的（)等元素，在半导体中就会产生许多带负电的电子。
A.锑、磷、砷
B.锑、铝、砷
C.铟、磷、砷
D.锑、镓、砷
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A.只存在一种载流子：自由电子
B.在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极
C.在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体
D.在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
A.施主杂质和受主杂质之间高度补偿，半导体中存在大量杂质，特性很差
B.施主杂质和受主杂质完全补偿掉，结果是没有杂质，类似本征半导体
C.通过杂质的补偿作用，半导体变为N型半导体
D.通过杂质的补偿作用，半导体变为P型半导体
B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用
A.在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
B.由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态
C.化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态
D.半导体材料的表面吸附
A.金属材料电子浓度很高，RH很大，UH很小
B.任何材料在一定条件下都能产生霍尔电势，但不是都可以制造霍尔元件
C.半导体电子迁移率一般大于空穴的迁移率，所以霍尔元件多采用N型半导体(多电子)
D.厚度d越小，霍尔灵敏度越大，所以霍尔元件做的较薄，通常近似1微米
