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在N型半导体中掺入微量的()等元素,在半导体中就会产生许多带负电的电子。
A.锑、磷、砷
B.锑、铝、砷
C.铟、磷、砷
D.锑、镓、砷
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A.锑、磷、砷
B.锑、铝、砷
C.铟、磷、砷
D.锑、镓、砷
A.只存在一种载流子:自由电子
B.在二极管中,N型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极
C.在纯净的硅衬底上,分散三价元素,可形成N型半导体
D.在PNP型的晶体管中,基区正是由N型半导体构成
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
A.施主杂质和受主杂质之间高度补偿,半导体中存在大量杂质,特性很差
B.施主杂质和受主杂质完全补偿掉,结果是没有杂质,类似本征半导体
C.通过杂质的补偿作用,半导体变为N型半导体
D.通过杂质的补偿作用,半导体变为P型半导体
B、电离的杂质会引起载流子的散射,从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场,所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于杂质的补偿作用,对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度,由于杂质的补偿作用,该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅,则杂质易于电离,可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型,如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深,则杂质不易于电离,可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近,该杂质可有效促进载流子的复合,缩短非平衡载流子的寿命,起复合中心的作用,如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近,该杂质可暂时收容非平衡载流子,延长了非平衡载流子的寿命,起陷阱中心的作用
A.在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
B.由于两种材料热膨胀系数不同,在高温下引入界面态
C.化合物半导体构成的异质结中,由于成分元素的互扩散,引入界面态
D.半导体材料的表面吸附
A.金属材料电子浓度很高,RH很大,UH很小
B.任何材料在一定条件下都能产生霍尔电势,但不是都可以制造霍尔元件
C.半导体电子迁移率一般大于空穴的迁移率,所以霍尔元件多采用N型半导体(多电子)
D.厚度d越小,霍尔灵敏度越大,所以霍尔元件做的较薄,通常近似1微米