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[主观题]

一变容管直接调频电路,如图NP5-9所示,已知,变容管结电容,调频指数Mf=5rad,VΩ=0时的振

一变容管直接调频电路,如图NP5-9所示,已知一变容管直接调频电路,如图NP5-9所示,已知,变容管结电容,调频指数Mf=5rad,VΩ=0时的振,变容管结电容一变容管直接调频电路,如图NP5-9所示,已知,变容管结电容,调频指数Mf=5rad,VΩ=0时的振,调频指数Mf=5rad,VΩ=0时的振荡频率fc=5MHz。

(1)画出该调频振荡器的高频通路,变容管的直流通路和音频通路;

(2)试求变容管所需直流偏置电压VQ;

(3)试求最大频偏Δfm和调制信号电压振幅VΩm

一变容管直接调频电路,如图NP5-9所示,已知,变容管结电容,调频指数Mf=5rad,VΩ=0时的振

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第1题
图NT5-7(a)所示为变容管直接调频电路,分别画出高频通路、变容管的直流通路和音频通路,并指出电
图NT5-7(a)所示为变容管直接调频电路,分别画出高频通路、变容管的直流通路和音频通路,并指出电

感L1,L2,L3的作用,图中L4为电源滤波电感。

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第2题
一调频电路如图NT5-4所示,试指出它是直接调频电路还是间接调频电路,并标出一、二次线圈的同名端
。已知vΩ(t)=cos(2πX103t)(V).试写出调频波的瞬时频率表达式(晶体管的相移可以忽略)。

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第3题
两级功放原理电路如图NP1-17所示。试:(1)简述电路工作原理;(2)已知VCC-VEF|,各管VBE
两级功放原理电路如图NP1-17所示。试:(1)简述电路工作原理;(2)已知VCC-VEF|,各管VBE

(on)相等,设各管基极电流不计,求lCQS(ICQS)及kii表达式。

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第4题
两级功放原理电路如图NP1-17所示。试:(1)简述电路工作原理;(2)已知Vcc=|VEE|,各管VB
两级功放原理电路如图NP1-17所示。试:(1)简述电路工作原理;(2)已知Vcc=|VEE|,各管VB

E(on)相等,设各管基极电流不计,求ICQ5(ICQ6)及kfv。表达式。

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第5题
差分放大电路如图LT4-18所示,已知各管β值都为100,VBE(on)都为0.7V.(1)说明T3、T4
差分放大电路如图LT4-18所示,已知各管β值都为100,VBE(on)都为0.7V.(1)说明T3、T4

的作用.(2)求ICQ1、ICQ2.(3)求差模增益Atd1.

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第6题
某场效应管的电路符号如图1所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道耗尽型MOS管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第7题
电路如图题6.4.5所示,其中VDD=5V,Rsi=2千欧,Rg1=60千欧,Rg2=40千欧,Rd=R≇

电路如图题6.4.5所示,其中VDD=5V,Rsi=2千欧,Rg1=60千欧,Rg2=40千欧,Rd=RL=5.1 千欧,MOS管参数为Kn=0.8mA/V2,VTN=1V,λ=0,Cgn=1pF,Cgd=0.4pF。试求该电路的中频源电压增益ArSM和源电压增益的上限频率fH

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第8题
电路如图P4.5所示,T与T,管特性相同,它们的低频跨导为gm;T3与T4管特性对称;T1与T
4管d-s间的动态电阻分别为rds2和rds4.试求出电压放大倍数Auu0/Δ(u11-u12)的表达式.

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第9题
电路如图LPS4-1所示,已知晶体三极管参数β12=100,|VA1|=|VA2|=150V,试求两管
静态工作点ICQ和ΥCEQ若RB2分别改为20kΩ和15kΩ,求相应的ICQ和ΥCEQ,并分析比较两种结果.

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第10题
在图NP4-36(a)所示的参量放大器中,已知变容管的伏库特性为v=kq2,试求:(1)RL上输出
在图NP4-36(a)所示的参量放大器中,已知变容管的伏库特性为v=kq2,试求:(1)RL上输出

信号功率Pd;(2)功率增益Pc/PAS值,其中PAS=V2S/4RS;(3)电路成为振荡器的条件。

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