关于N型半导体的下列说法,正确的是()。
A.只存在一种载流子:自由电子
B.在二极管中,N型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极
C.在纯净的硅衬底上,分散三价元素,可形成N型半导体
D.在PNP型的晶体管中,基区正是由N型半导体构成
A.只存在一种载流子:自由电子
B.在二极管中,N型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极
C.在纯净的硅衬底上,分散三价元素,可形成N型半导体
D.在PNP型的晶体管中,基区正是由N型半导体构成
A.自由电子、空穴、位于晶格上的离子
B.无论P型还是N型半导体,自由电子、空穴都是导电介质
C.对于P型半导体,空穴是唯一的导电介质
D.对于N型半导体,空穴是唯一的导电介质
A.费米能级表征电子的填充情况,费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小,费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D.N型半导体掺杂越高,费米能级离禁带中央越远
A.半导体材料的压阻效应是指当半导体材料某一轴向受外力作用时,其电阻率P发生变化的现象
B.半导体应变片的灵敏系数极大,因而输出也大,可以不需要放大器直接与记录仪器连接
C.半导体应变片的优点是电阻值和灵敏系数的温度稳定性很好
D.半导体应变片按照特性分类,可分为灵敏系数补偿型应变片和非线性补偿应变片
A.制作霍尔元件时多采用N型半导体材料
B.减小霍尔元件的厚度,可以提高其灵敏度
C.如果霍尔片两端的电压为E,那么适当地选择材料的迁移率及霍尔片的宽长比可改变霍尔电势值
D.金属可用于制作霍尔元件
A.超导体可用来做家用保险丝
B.超导体可用来做电热丝,其优点是发热效率高
C.声控和光控电灯中起自动控制作用的那部分元件主要用半导体材料
D.纳米是一种新型材料
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
A.硅是间接带隙半导体
B.禁带宽度具有负的温度系数
C.室温下,硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV
D.位于能带底的电子,其有效质量为正,位于能带顶的电子,其有效质量为负
A.可以加工任何硬、脆、韧、软、高熔点的导电材料,此外在一定条件下还可加工半导体材料和非导电材料
B.加工时“无切削力”,有利于小孔、薄壁、窄槽及具有复杂截面零件的加工
C.加工中几乎不受热的影响,因此可以减少热影响层,提高加工后的工件质量
D.由于脉冲参数可调节,因此同一台机床可进行粗、半精、精加工
E.间接使用电能加工,便于实现自动化
A.可以加工任何硬、脆、韧、软、高熔点的导电材料,此外在一定条件下还可以加工半导体材料和非导电材料
B.加工时“无切削刀”,有利于小孔、薄壁、窄槽及具有复杂截面零件的加工
C.加工中几乎不受热的影响,因此可以减少热影响层,提高加工后的工件质量
D.由于脉冲参数可调节,因此同一台机床可进行粗加工、半精加工、精加工巳间接使用电能加工,便于实现自动化
A.可以加工任何硬、脆、韧、软、高熔点的导电材料,此外在一定条件下还可以加工半导体材料和非导电材料
B.加工时“无切削力”,有利于小孔、薄壁、窄槽及具有复杂截面零件的加工
C.加工中几乎不受热的影响,因此可以减少热影响层,提高加工后的工件质量
D.由于脉冲参数可调节,因此同一台机床可进行粗加工、半精加工、精加工
E.间接使用电能加工,便于实现自动化