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[单选题]

测得某个NPN型晶体管E、B、C三个电极电位分别为0.4V、0.2V和1.5V可判断该管处于()工作状态。

A.完全截止

B.完全导通

C.线性放大

D.饱和导通

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A、完全截止

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第1题
放大电路中,测得几个三极管的三个电极电位U1、U2、U3分别为下列各组数值,判断它们
是NPN型还是PNP型?是硅管还是锗管?确定e、b、c.

(1)U1=3.3V,U2=2.6V,U3=15V

(2)U1=3.2V,U2=3V,U3=15V

(3)U1=6.5V,U2=14.3V,U3=15V

(4)U1=8V,U2=14.8V,U3=15V

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第2题
试指出如何使用二用表电阻挡判别双极型晶体管的三个电极和类型.

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第3题
固体半导体摄像元件CCD是一种()。

A.PN结光电二极管电路

B.PNP型晶体管集成电路

C.MOS型电容阵列

D.NPN型晶体管集成电路

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第4题
有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V1=-4V,V2=-1.2V,V3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是()。

A.1:e、2:b、3:c

B.1:c、2:e、3:b

C.1:c、2:b、3:e

D.其它情况

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第5题
晶体管的类型分成PNP和NPN型。()
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第6题
在由NPN型晶体管组成的基本共射放大电路中,若输入电压为正弦波,输出波形的底部被削平,则这种失真是()失真。

A.幅度

B.相位

C.截止

D.饱和

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第7题
测试NPN型晶体管穿透电流的电路如图P6.19所示.(1)电路中引入了哪种反馈?测试晶体管穿透电流的

测试NPN型晶体管穿透电流的电路如图P6.19所示.

(1)电路中引入了哪种反馈?测试晶体管穿透电流的原理是什么?

(2)选择合适的R,在Multisim环境下测试晶体管的穿透电流.

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第8题
以npn型双极型晶体管为例,以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是()。

A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂,禁带宽度变窄,增大

B.发射区重掺杂导致电子浓度升高,增大,发射效率提高

C.俄歇复合增强,空穴寿命减小,扩散长度减小,增大

D.考虑发射效率公式,放大系数减小

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第9题
测得正常放大电路中,晶体管的三个管脚电位分别是-9V、-6V和-6.3V,则这个晶体三极管是PNP锗管。()
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第10题
25℃时,实验测得以下三个电池的电动势如下:请用实验数据,计算AgI和PbI2的溶度积。已知饱和甘

25℃时,实验测得以下三个电池的电动势如下:

请用实验数据,计算AgI和PbI2的溶度积。已知饱和甘汞电极的电极电位为0.2415V。

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第11题
晶体管符号上的箭头朝外,则表示为()。

A.硅管

B.锗管

C.NPN管

D.PNP管

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