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第2题
在MOS管电容的组成部分中，结电容是由底板pn结和侧壁pn结构成的，其中，底板pn结的表达式为每单位面积结电容乘以面积，即Cj×LsW;侧壁pn结为每单位周长电容乘以周长，即Cjsw×(2Ls+2W)。()此题为判断题(对，错)。
第4题
在研究阈值水平时电容放电对神经的刺激关系中,Hoorweg发现引起最小的反应(肌肉的收缩)时,电压
在研究阈值水平时电容放电对神经的刺激关系中,Hoorweg发现引起最小的反应（肌肉的收缩)时,电压
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U与电容器的电容量e有关,其经验公式为
其中R是电阻(假设为定值),a、b为正常数.若电容的单位为微法(μF),电容器的电压为伏特(V),由物理知识可知,与负荷相对应的电能为E=5cU2(尔格(erg)),从而有
试问,当电容为多少微法时,电能最小,其最小电能为多少？
第8题
RLC串联电路发生谐振时，有以下特征()。
RLC串联电路发生谐振时，有以下特征（)。
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A . 电抗为0
B . 阻抗最大
C . 电感电压与电容电压大小相等
D . 电路中电流为最大
E . 外加电压最大
第9题
下列关于PN结隧道击穿的说法中，错误的是（)。
A.势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿
B.隧道击穿也称齐纳击穿
C.隧道击穿发生在重掺杂PN结中
D.隧道击穿的击穿电压温度系数为负
第10题
关于磁滞回线（)。
A.当外加磁场强度减小到零时，保留在材料中的磁性叫做剩余磁感应强度
B.当外加磁场强度减小到零时，保留在材料中的磁性叫做矫顽力
C.铁磁材料磁化达到饱和后，取消外加磁场，材料仍能回到未磁化前的原始状态
D.磁感应强度与磁场强度总成正比
