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[主观题]

某渗透试验装置如图3-2-1所示。砂Ⅰ的渗透系数k₁=2x10^-1cm/s：砂Ⅱ的渗透系数k₂=1x

某渗透试验装置如图3-2-1所示。砂Ⅰ的渗透系数k₁=2x10^-1cm/s：砂Ⅱ的渗透系数k₂=1x10^-¹cm/s，砂样断面积A=200cm²。试问

(1)若在砂Ⅰ与砂Ⅱ分界面出安装一测压管，则测压管中水面将升至右端水面以上多高？

(2)砂Ⅰ与砂Ⅱ界面处的单位渗水量q多大？

某渗透试验装置如图3-2-1所示。砂Ⅰ的渗透系数k1=2x10-1cm/s：砂Ⅱ的渗透系数k2=1x

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第1题

试分析图3-2-1所示桁架的类型,指出零杆.

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第2题

某化合物的分子式为，红外光谱如图8-11所示。解析该化合物的结构。

某化合物的分子式为，红外光谱如图8-11所示。解析该化合物的结构。

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第3题

某集成电路中的局部原理电路如图LP2-16所示,已知V_BB=试计算值.

某集成电路中的局部原理电路如图LP2-16所示,已知V_BB=

试计算值.

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第4题

已知某共射放大电路的波特图如图P5.3所示,试写出的表达式.

已知某共射放大电路的波特图如图P5.3所示,试写出的表达式.

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第5题

某控制系统的方框图如图1所示，这样的控制方式为()

A.程序控制

B.开环控制

C.复合控制

D.反馈控制

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第6题

某NPN型三极管的输出特性曲线如图3所示，当VCE=6V，其电流放大系数β为()

A.β=100

B.β=50B

C.β=150

D.β=25

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第7题

测得某硅晶体三极管的电位如图1所示，判断管子的工作状态是()。

A.放大状态

B.截止状态

C.饱和状态

D.击穿状态

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第8题

某未知化合物的分子式为C_{12<／sub>H_{14<／sub>O_{4<／sub>，测得其红外吸收光谱如图13－9所示。试通过光谱解析}}}

某未知化合物的分子式为C₁₂H₁₄O₄，测得其红外吸收光谱如图13-9所示。试通过光谱解析推断其分子结构式。

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第9题

某未知化合物的分子式为C_{9<／sub>H_{5<／sub>NO_{4<／sub>，测得其红外吸收光谱如图13－10所示。试通过光谱解析}}}

某未知化合物的分子式为C₉H₅NO₄，测得其红外吸收光谱如图13-10所示。试通过光谱解析推断其分子结构式。

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第10题

某最小相位校正器的开环对数幅相曲线如图5所示，图5则该校正器为:()

A.滞后环节

B.超前环节

C.超前-滞后环节

D.滞后-超前环节

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