题目内容
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[单选题]
下列关于PN结整流效应的说法中，错误的是（)。
A.能够将交流电转变成直流电
B.只允许电流从一个方向流过
C.低频整流特性较差
D.高频时，PN结反向阻抗大大降低的原因是由于PN结电容的旁路作用
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C.低频整流特性较差
D.高频时，PN结反向阻抗大大降低的原因是由于PN结电容的旁路作用
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A.势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿
B.隧道击穿也称齐纳击穿
C.隧道击穿发生在重掺杂PN结中
D.隧道击穿的击穿电压温度系数为负
A.在扩散运动中，只有注入的少子存在很大的浓度梯度，因此扩散电流主要是由少子贡献。
B.非晶硅对可见光谱的吸收很强，是晶硅的500倍，整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍，因此非晶硅电池可做的很薄。
C.多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的，因此它们的基本结构是相同的。
D.与晶体硅电池相比，非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应)，但其光电转化效率随温度升高下降较慢。
A.没有固定要求
B.要想快速测温,应该选用利用PN结形成的集成温度传感器
C.要想快速测温，应该选用热电阻式温度传感器
D.要想快速测温，应该选用热电偶温度传感器
A.异质 pn 结的高注入特性是区别同质 pn 结的主要特点之一
B.决定同质pn结注入比的是掺杂浓度，要想获得大的注入比就要求
C.决定异质pn结注入比的是 ，通常可获得较大的注入比
D.同质pn结具有比异质pn结更大的注入比
